佳能的压印光刻机

       5nm和3nm等最先进工厂使用的并不都是EUV光刻机和ArF浸没式光刻机。半导体的前制程（晶圆工序）需要完成几十道曝光工序，只有加工尺寸最小或者接近最小的层才使用加工成本较高的EUV和ArF浸没式光刻机。佳能光学设备事业本部副本部长岩本和德（半导体设备事业部长）称：“以需要曝光50层的最尖端半导体为例，可能只有2～3层使用EUV，最多有10层左右使用ArF”。
 
      加工尺寸比较大的层通常使用ArF干式光刻机、KrF光刻机（波长为248nm）、i线光刻机（波长为365nm）等。ArF干式光刻机的价格一般在20亿～30亿日元，KrF光刻机在10亿～20亿日元，i线光刻机在5亿～10亿日元。
 
      佳能“在i线光刻机市场拥有8成左右的份额，在KrF光刻机市场拥有近3成份额（按台数计算）”，岩本和德指出。也就是说，台积电和三星等的最先进工厂大量引进了佳能的i线和KrF光刻机。虽然走在微细化最前沿的EUV光刻机受到广泛关注，但“如果没有i线和KrF光刻机，就无法制造出最尖端半导体”，岩本说。目前，CMOS图像传感器、矽和碳化矽功率半导体用途领域的洽购也很多。