三星HBM3E没过英伟达验证？还是黄仁勋留一手？

三星HBM3E没过英伟达验证！传与台积电有关　还是黄仁勋留一手？

受惠AI浪潮对于高速运算需求快速窜升，高频宽存储器（HBM）在市场上供不应求，相关厂商财报与展望几乎缴出亮眼成绩，南韩科技大厂三星电子（Samsung）近期却传出，对于AI服务器处理器效能至关重要的HBM3E一直未通过英伟达验证，且与台积电有关。
三星在4月30日公布第一季财报，受惠于市场对于AI基础建设大幅扩张，对于存储器的需求也大幅提升，加上旗舰智慧型手机Galaxy S24系列销售强劲，营收来到71.92兆韩元（约520亿美元）、年增12.81%，超越市场预期的71.04兆韩元，营业利益更是达6.61兆韩元、年增飙涨932.8%，超越市场预期的5.94兆韩元。 三星也在财报会议指出，今年8层垂直堆叠HBM3E于4月量产，同时，第二季会开始量产 12 层垂直堆叠，比原本计划提早，三星表示，这是为了应付生成式AI的应用需求，所以加快新型的HBM生产进度。
三星半导体事业暨装置解决方案事业部门（Device Solutions）第一季营利达1.91兆韩元，不仅优于去年同期营业亏损4.58兆韩元，终结连4季亏损，存储器业务营收达17.49兆韩元、年增96%。三星2023年半导体部门亏损14.9兆韩元，使得三星总营利创下15年来最低点，三星预期生成式AI商机会持续推动半导体业务改善，不过归属在该部门的晶圆代工业务则是延迟营收改善时间，主要是受到市需求疲弱、库存调整持续等影响，不过改善措施仍使得亏损略为收敛。
AI处理器的先进封装关键、高频宽存储器（HBM），为各家先进技术的存储器厂商发展重点，加上市面上的AI服务器处理器绝大多是都是由英伟达（NVIDIA）所供应，扩充版本HBM3E更是目前效能最优秀的AI用DRAM。先进技术存储器大厂包括美光、SK海力士以及三星，去年下半年向英伟达送样8层垂直堆叠HBM3E，美光、SK海力士都已经获得英伟达验证，但是三星仍未通过。
据韩媒《Alpha Biz》报导指出，台积电身为英伟达的芯片制造与先进封装主要合作对象，中国台湾台积电也参与了英伟达验证的关键环节，传闻是采用台积电主要合作厂商SK海力士的验证标准，三星的制程却与其有所差异，三星也否认了其存储器制程有缺陷的市场传闻，重申会提供最佳产品给客户。市场人士认为，三星只要验证标准调整一下，三星就能过关，所以关键就在台积电愿不愿意改标准。
据韩媒《韩国经济日报》月初报导，三星正在召集约100名优秀工程师组成HBM团队，首要任务就是提升良率与品质，藉此符合英伟达的标准，据传英伟达执行长黄仁勋要求三星提升8层与12层堆叠HBM3E的良率与品质，才能与三星敲定合约，三星目前把目标摆在12层堆叠HBM3E，希望能在5月通过英伟达的品质测试。
由于目前HBM都已经售罄，三星、SK海力士都将超过20%DRAM生产线改为HBM，并积极争取英伟达青睐。不过，韩媒《BusinessKorea》也指出，黄仁勋试图让三星、SK海力士持续竞争，迟迟未敲定三星的合约，但也让三星持续研发HBM技术，就是希望可以压低第三代HBM3 DRAM（HBM2E）价格，从2023年以来报价已经飞涨5倍，势必影响英伟达营运成本。
SK海力士已在4月宣布，分别要在美国印第安那州投资38.7亿美元建立先进封装厂，并在南韩投入38.5亿美元建立HBM的新DRAM厂，并宣布与台积电建立合作关系，以确保对英伟达的订单所需的先进封装产能。