韩媒：HBM4争霸战 台积电居上风

韩国中央日报19日报导，在三星与SK海力士为第5代高频宽存储器（HBM3E）的市场，全面开战之际，争夺号称“改变游戏规则”的下一代HBM4领导地位的战争也开始了，而中国台湾台积电在这场争霸赛中居于上风。
标题为“‘我们也将吃下存储器’台积电向三星宣战：HBM4争霸战”的文章指出，从HBM4开始，逻辑半导体与存储器之间的界线开始瓦解，IC设计公司、半导体代工厂以及存储器公司之间开始争夺领导地位，而台积电是率先显露雄心的巨头。
台积电本月14日在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上，首度揭露第6代HBM4细节。台积电宣布正采用12纳米与5纳米制程，制造用于HBM4的基础芯片，5纳米制程可被用来达成更高效能，该战略即是依据客户要求的效能，客制化HBM4。
HBM的制造是将DRAM芯片堆叠在作为基座的基础（逻辑）芯片之上，然后将之垂直连结而成。一直到HBM3E，HBM的所有部份，包括基础芯片都是由三星、SK海力士等存储器芯片厂生产，然而从逻辑芯片与存储器合并为一的HBM4开始，基础芯片是由半导体代工厂制造，这是因为如果基础芯片采用先进制程，可以包含更多运算功能。
在该研讨会上，一名台积电高层首度承认他与SK海力士、三星与美光讨论HBM4的发展，并表示，我们正与主要伙伴就HBM4的整合制程进行合作。台积电也补充，正升级其CoWoS先进封装技术。
该文说，目前将逻辑芯片，比如图形处理器（GPU）与HBM并排封装的技术，将在几年内发展成将HBM放在GPU之上，并立体垂直堆叠的高科技技术。对此，台积电近期宣布一个新的尖端封装技术进程计划，并开始巩固其压倒性的优势。据悉，英伟达与超微已抢下台积电明年的先进封装产线。
文章说，台积电是第一家突破HBM领导之墙的代工厂，直到现在，这是存储器厂制霸的领域。在HBM4的发展上，台积电已宣布与英伟达、SK海力士合作，组成“3方同盟”，据此，SK将取得台积电生产的基础芯片，并将DRAM堆叠其上，SK也因此宣布将提早1年，于2025推出HBM4。
随着台积电锁定HBM市场，三星也逐渐升高戒备。在HBM3E的订单战中，三星尚未取得英伟达的验证。韩国一名半导体业者说，在HBM市场上，三星不仅与SK竞争存储器龙头地位，现在也与台积电竞争代工霸主地位，除非它放弃当中一个，否则必须在两个领域都取得压倒性优势，才有可能在竞争中胜出。