HBM3e 产出放量或挤压标准DRAM产能

三大原厂开始提高先进制程投片，继记忆体合约价翻扬后，公司资金增加，产能提升集中在下半年，1 alpha 奈米以上投片至年底将占 DRAM 总投片比重约 40%。HBM 获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限良率仅约 50%~60%，且晶圆面积较 DRAM 产品放大逾 60%，即占投片比重高。以各家 TSV 产能看，至年底 HBM 将占先进制程 35%，其余生产 LPDDR5（X）与 DDR5 产品。

以HBM最新发展进度看，今年HBM3e是市场主流，集中下半年出货。SK海力士（SK Hynix）仍是主要供应商，与美光（Micron）均采1 beta奈米制程，两家业者已出货辉达（NVIDIA）；三星（Samsung）则采1 alpha奈米制程，第二季完成验证，年中交货。

除了HBM需求占比持续增加，PC、伺服器、智慧手机三大应用单机搭载容量增长，故先进制程消耗量也逐季提升，又以伺服器的容量提升最高，主要受惠单机容量1.75TB的AI伺服器带动。英特尔、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，记忆体规格仅能用DDR5，今年DDR5渗透率至年底逾50%。

同时HBM3e出货集中下半年，同属记忆体需求旺季，DDR5与LPDDR5（X）市场需求也看增。但受2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言，HBM投片比重扩大下，使先进制程产出有限，下半年产能配置是供给是否充足的关键。

新厂规画方面，三星厂房2024年底产能大致满载，新厂房P4L规划2025年完工， Line 15厂区制程转换，1 Y奈米转至1 beta奈米以上。SK海力士除了M16明年产能扩大，M15X亦规划2025年完工，年底量产。美光台湾厂区明年恢复满载，后续产能扩张以美国厂为主，Boise厂区2025年完工并陆续移机，2026年量产。
尽管三大厂新厂2025年陆续完工，但部分厂房量产时程尚未明确规划， 需看今年获利，才能持续扩大采购机台，形成三大厂坚守记忆体价格今年涨势。NVIDIA GB200于2025年放量，规格为HBM3e 192 / 384GB，HBM产出将近翻倍，且紧接各原厂研发HBM4，若投资没有明显扩大，各家产能规划皆以HBM为优先，产能排挤效应下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。