三星第二代3纳米制程良率 韩媒惊爆仅20％

南韩业内传出，三星电子（Samsung Electronics）的第二代3纳米制程良率仍欠佳。
南韩业内传出，三星电子（Samsung Electronics）的第二代3纳米制程良率仍欠佳，这项制程在今年稍晚将会用来生产即将内建于 Galaxy S25旗舰智慧型手机的Exynos 2500行动处理器。
日前业界宣布，三星采用最新3纳米GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC）已成功完成设计定案（tape out），此消息引起市场注意。人们普遍相信，这款SoC应是次世代Exynos 2500。
不过，韩媒DealSite及社群平台X用户@Revegnus1却指出，三星第二代3纳米制程良率仅有20%。换言之，矽晶圆上每10颗芯片就有8颗有缺陷。相较之下，中国台湾台积电的N3B制程良率则为接近55%，次世代N3E制程的良率则还未知。
@Revegnus1爆料指出，Google从2025年释出的Pixel 10智慧型手机开始，Tensor应用处理器将改采台积电的3纳米制程技术。最近Google扩大了中国台湾的研发中心，并积极聘用台湾半导体工程师，准备与台积电合作。
Tech Edt报导，过去几年三星晶圆代工事业（Samsung Foundry）一直是Google Tensor芯片的主要代工商，如果上述消息属实，那意味着三星恐失去这项合约。