DRAM制造商扩大先进制程投资，HBM产能优先

由于HBM需求增加及先进制程的优先布局，DRAM供应可能面临短缺。

三大DRAM供应商对先进制程的扩展和HBM的优先生产反映了市场对高效能存储器需求的增长。然而，这也带来了潜在的供应链风险，特别是在DRAM市场。CMoney研究团队认为HBM的需求将随着AI发展持续增加，搭配上较低的良率，DRAM产能扩展很难跟上，因此可能会导致DRAM市场出现供应短缺，进而推动价格上涨。投资者应关注这一动态，特别是那些在先进制程、HBM和DRAM领域具有竞争优势的公司。

三大DRAM供应商正增加先进制程的晶圆投入。随着存储器合约价格上涨，企业提升资本支出，重点放在今年下半年扩产。预计到年底，1alpha nm及以上制程的晶圆投入将占总DRAM晶圆投入的约40%。

由于其高盈利性和需求增加，HBM生产将被优先考虑。然而，HBM的产量受限，良率仅约50-60%(较DRAM低30%左右)，且所需晶圆面积比DRAM产品大60%，这意味着需要更多的晶圆投入。基于各公司的矽穿孔(TSV)产能，预计HBM到年底将占先进制程晶圆投入的35%，其余产能将用于生产LPDDR5(X)和DDR5产品。

HBM3e今年将成为市场主流，出货集中在下半年。目前，SK hynix是主要供应商，与美光(MU)共同利用1beta nm制程，已开始向Nvidia(NVDA)出货。三星则使用1alpha nm制程，预计第二季完成认证并于年中开始交付。

除了HBM需求增加外，PC、伺服器和智能手机的单位存储器含量增长，推动了先进制程的消耗。伺服器特别是AI伺服器，存储器含量高达1.75 TB。随着英特尔(Intel)的Sapphire Rapids和AMD的Genoa等新平台的量产，DDR5渗透率预计在年底超过50%。

由于HBM3e出货集中在下半年，与存储器需求高峰期重合，市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求也将增加。然而，2023年的财务损失使制造商在扩产计划上变得谨慎。由于更大比例的晶圆投入被分配给HBM生产，先进制程的输出将受到限制。因此，下半年产能分配将成为决定供应能否满足需求的关键。

DRAM供应短缺的潜在风险
HBM生产的优先考虑可能导致DRAM供应短缺。如果先进制程的产能扩展不足，这一风险将更为显著。目前，各公司新厂计划如下：三星预计现有设施到2024年底将全面运营，新的P4L厂房将于2025年完成，而Line 15设施将进行制程转换至1beta nm及以上。SK hynix的M16厂房产能预计明年扩展，M15X厂房也计划于2025年完成，并在明年年底开始量产。美光在台湾的设施将于明年恢复全面运营，未来扩展重点在美国。Boise设施预计2025年完成，随后安装设备并计划于2026年量产。
尽管新厂房计划于2025年完成，但量产的确切时间仍不确定，取决于2024年的盈利能力。这种对未来利润的依赖，强化了制造商今年维持存储器价格上涨的承诺。此外，英伟达的GB200计划于2025年量产，将搭载HBM3e 192/384 GB，有可能使HBM产量翻倍。随着HBM4的开发在即，如果没有重大投资来扩大产能，HBM的优先考虑可能导致DRAM供应因产能限制而不足。