三星与SK海力士扩产标准存储器态度保守，下半年才有提升机会

尽管业界都承认存储器产业逐步复苏，韩系存储器大厂三星与 SK 海力士却没有积极扩产，两家公司 DRAM 及 NAND Flash 仍旧以较保守的态度面对市场需求。
韩国媒体报导，虽然市场消息显示，存储器市况改善后，三星与 SK 海力士今年有机会扩产，不过第一季财报会议不约而同表示，今年 DRAM 产能成长受限，维持较低产能。
标准 DRAM 和 NAND（不包括 HBM）市场，两家仍有不确定性。11 月美国大选登场，可能会对中国经济政策和贸易法规产生变化，加上中东地缘政治紧张局势加剧不确定性，业界仍持谨慎态度。
韩国媒体 BusinessKorea 报导，4 月 PC 用标准 8Gb DDR4 DRAM，平均交易价格比 3 月上涨约 17%，但视为暂时现象，而不是需求真正复苏。因美光台湾存储器生产设施受 403 地震干扰，暂时增强供应商议价能力。标准 NAND Flash（记忆卡和 USB、128Gb 16Gx8 MLC）价格 3 月后一直很稳定，没有上涨。
受 403 地震影响，需求短暂提升，但 PC 厂商库存水准较高，第二季 PC DRAM 整体采购量大幅下降。三星和 SK 海力士转专注扩大 HBM 产量。因 HBM 对晶圆要求更高，减少标准存储器产量。有限产能范围内，增加 HBM 产量就代表标准存储器产量大幅减少。
整体来说，下半年因市场发表多款智能手机，如新 Galaxy 摺叠手机和 iPhone 16 等，行动产业大事件对标准存储器是重大刺激，存储器产业下半年增加标准产品产量的可能性就会提升。