不只DRAM，NAND 快闪记忆体竞争也愈演愈烈

三星和SK海力士正在加紧努力提升NAND技术和产品的性能和容量，以应对不断增长的AI需求。
由于AI相关半导体一直在推动高频宽记忆体（HBM）的需求，NAND快闪记忆体市场现在也感受到了这种氛围。
据悉，NAND Flash市场竞争正在加剧，记忆体巨头三星和SK海力士都在加强提高NAND产品的效能和容量。
今年4 月，三星证实已开始量产其1 太比特(Tb) 三层单元(TLC) 第9 代垂直NAND (V-NAND)，号称与先前的产品相比，位元密度提高了约50%。据媒体早前报道，第八代V-NAND，层数达290层。
V-NAND（即垂直NAND）是一种快闪记忆体，其中储存单元垂直堆叠，与传统平面NAND 相比，显著提高了储存密度和可靠性。
关于QLC V-NAND 与TLC V-NAND 有何不同？四级单元(QLC) V-NAND 每个单元储存四位数据，而三级单元(TLC) 每个单元储存三位资料。 QLC 提供更高的密度，这意味着相同实体空间内的储存容量更大。
三星计划凭藉第9 代V-NAND 主导AI SSD 市场，目标是在第二季开发并出样超高容量64 TB SSD。
5月中旬，三星甚至透露了2030年推出超过1000层的先进NAND Flash的目标。这家韩国储存巨头计划在NAND制造中应用新型铁电材料。
另一方面，目前NVIDIA H100解决方案的HBM3供应主要由SK海力士满足，导致供应不足，无法满足新兴的AI市场需求。在确立HBM 领域的领导地位后，SK 海力士现在的目标是在NAND 人工智慧记忆体市场占据主导地位。
值得注意的是，根据TheElec 报导，SK 海力士近期取得突破，开发出专为具备AI 功能的智慧型手机量身定制的设备内建AI 行动NAND 解决方案“Zoned UFS 4.0”（ ZUFS 4.0）。
SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代行动端NAND快闪记忆体解决方案产品，其产品实现业界最高效能并专为端侧AI手机进行最佳化。透过此产品， 继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND快闪记忆体领域公司将引领面向AI的记忆体市场。
ZUFS按数据的各自特性来区分管理智慧型手机应用程式产生的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。
由此ZUFS将在长期使用环境下手机应用程式的运行时间与现有UFS相比改善了约45%。而且，ZUFS在储存读写效能下降方面达到了4倍以上改善效果，因此产品的使用寿命也提升了约40%。
S K海力士早就预测对高效能NAND快闪记忆体解决方案的市场需求有望发生，从AI热潮来临前的2019年开始与全球平台企业合作开发ZUFS。
SK海力士提供客户初期试产品，而基于此试产品规格与客户协作开发出符合JEDEC标准的4.0产品。该公司将于今年第三季开始ZUFS 4.0产品的量产，并其量产品将搭载于全球手机公司向后推出的端侧AI手机。
近日，市场数据显示，铠侠控股公司（原东芝公司的记忆体晶片业务）和NAND快闪记忆体解决方案提供商Solidigm在有利的条件下在NAND市场取得了显著的反弹。
日本记忆体晶片制造商铠侠宣布六个季度以来首次获利。该公司在第四财季财报（2024 年第一季）中表示，其销售额为3,221 亿日圆（20.6 亿美元），营业利润为439 亿日圆。这是自2022 年第三季营业利润806 亿日圆以来首次获利。
铠侠成立于2018 年，当时东芝剥离了其记忆体晶片业务。 SK海力士向美国贝恩资本设立的基金投资了2.7兆韩元（合20亿美元），并收购了价值1.3兆韩元的可转换债券。铠侠在2023 年前两季面临重大管理挑战，亏损2,316 亿日圆，这些亏损反映在SK 海力士的财务报表中。但该公司已经以稳健的业绩证明了自己的扭亏为盈，这得益于人工智慧驱动的资料中心需求的扩大。 2024年第一季销售额达3,221亿日元，较去年同期成长31.4%。该公司表示：“以美元计算的NAND 价格去年上涨了约20%，延续了三个季度的上涨趋势，出货量也增长了5-9%。”

SK 海力士的另一项具有挑战性的投资Solidigm 也开始反弹。
SK海力士于2021年收购英特尔NAND事业部后成立的Solidigm虽然因半导体不景气受到严重创伤,但在NAND市场的暖风中乘胜追击。
根据SK 海力士的季度报告，SK 海力士NAND 产品解决方案在2024 年第一季净亏损1,496 亿韩元。与2023 年第二季的1.39 兆韩元和第三季的1.43 兆韩元净亏损相比，这是一个显著的改善。
海力士NAND 产品解决方案包括收购英特尔NAND 业务后成立的实体。随着资料中心公司对高容量eSSD 的需求增加，Solidigm 正走在明显的复苏之路上。前景光明，尤其是由于其基于NAND 的四级单元(QLC) 技术，这对于实现针对AI 市场的超高容量SSD 至关重要。