SK 海力士 HBM3E 良率成长，生产效率藉此明显提升

SK 海力士高层 Kwon Jae-soon 近日向英国 《金融时报》 表示，该公司的 HBM3E 存储器良率已接近 80%，生产效率也获得了明显的提升。
报导指出，相较标准 DRAM 存储器产品，HBM 的制造过程牵涉到在 DRAM 层间建立 TSV矽通孔和多次的晶片键合，复杂程度直线上升。一旦当中的一层 DRAM 出现问题，就使得整个 HBM 堆叠必须报废。
基于以上的原因，使得 HBM 存储器的生产必须更谨慎，要提升生产效率也更难。尤其，采用 8 层乃至 12 层堆叠的 HBM3E 产品，天生在良率方面就落后于标准 DRAM 存储器。
根据韩国媒体 DealSite 在 2024 年 3 月时报导指出，当时的 HBM 存储器的整体良率仅有 65% 左右。如此看来，SK 海力士近期的良率提高到 80%，显示近期在 HBM3E 存储器良率方面实现了明显改进。
Kwon Jae-soon 也提到，SK 海力士目前已将 HBM3E 的生产周期减少了 50%。更短的生产用时代表着更高的生产效率，可为辉达等下游客户提供更充足的供应。另外，他也再次确认 SK 海力士 2024 年的主要重点是生产 8 层堆叠的 HBM3E，因为该规格目前是客户需求的核心。Kwon Jae-soon 强调，在人工智慧时代，提高产量对于保持领先地位变得越来越重要。