三星计划在2025年推出3D DRAM，堆叠16层大幅提升AI晶片容量

三星希望在 DRAM 标准方面有所突破，目标在2025年推出3D DRAM，以便在全球AI半导体市场相关领域中取得领先。
3D DRAM旨在堆叠更高的单元层以大幅提高容量。随着 DRAM 行业亟需创新，这家韩国巨头推出了新概念，以吸引消费者和客户的兴趣。
在韩国首尔举行的 2024 年国际记忆体研讨会（IMW）上，三星电子副总裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技术，称随着市场的快速发展，尤其是人工智慧领域，对先进 DRAM 技术的需求比以往任何时候都更加迫切。
在 3D DRAM 架构的基础上，三星通过 DRAM 内建和性能的大幅提升，成功地大幅缩小了单元面积。
新的技术采用了“4F Square”单元结构，但 DRAM 电晶体是垂直安装的，这就是所谓的 VCT（垂直通道电晶体）技术。通过结合 4F Square 和 VCT 来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，并以 16 层为目标，该公司很可能见证巨大的记忆体容量和性能提升。
由于人工智慧的炒作和消费者的需求，DRAM 市场出现了潜在的经济好转，看到市场上出现这样的发展令人兴奋，因为这不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3D DRAM 目前仍是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格高昂。