DDR3濒临淘汰了？

不久前，有媒体报导三星和SK 海力士最终将永久关闭各自的DDR3 生产线，两家韩国储存制造商可能在今年下半年停止向市场供应DDR3 存储器。随后市场传出DDR3产品涨价的消息。两家公司做出这项改变的理由并不难理解，AI火热的当下，相关存储器供不应求。为了利润率，抢占未来十年的市场，储存巨头们发力HBM和DDR5等产品也不难理解。
SK海力士的HBM供应在2024年和2025年大部分时间都已售罄，这导致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）内存类型的价格明年预计上涨5%至10%。有媒体预测，到2025年，由于强烈的HBM需求，HBM市占率将增加一倍以上，从2023年的2%成长到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5存储器也受到HBM需求的影响，据报道，其价格将上涨20%，因为前三大储存制造商将生产重点转向HBM。至于服务器和个人电脑市场，早就不再使用DDR3了。

01 DDR3 真的垂暮了吗？
DDR3于2007 年首次推出，已问世17年。相对于DDR2，DDR3 在逻辑Bank 数量上，起步为8 个且为未来16 个做准备（DDR2 只有4Bank 和8Bank 设计）。在封装方面，接脚增加，有特定封装规格且必须环保（8bit晶片采用78球FBGA封装，16bit晶片采用96球FBGA封装），与DDR2 的多种封装规格不同。在突发长度上，预取为8bit 导致突发传输周期固定为8，也增加新模式且禁止突发中断操作，比DDR2 更灵活。在定址时序上，CL 周期提升且范围不同，附加延迟设计变化，也新增写入延迟参数，DDR2 的CL 范围与之不同。在新增功能上，具备重置功能可停止操作节约电力，以及新增ZQ 校准功能自动校验相关电阻值，这是DDR2 所没有的。
对存储器产品来说，迭代就像人类正常的新陈代谢。设计的进步、制程的突破让产品的能耗越来越低，传输速度越来越快、储存容量也越来越大。随着DDR5的登场，DDR3是否真的要跟时代说再见了？
网路通讯、电视、监控、机上盒、工业、智慧家庭等领域，仍是广泛应用DDR3的场景。根据中泰电子数据，2022/2021年，DDR3占DRAM比例为8%/8%，达75/74亿美金。
DDR3用户介面在设计与效能上展现出许多显著优势。相较前代产品，DDR3存储器模组在传输速率方面实现了大幅提升，从而显著加快了资料的读取和写入速度，有效满足了多任务处理和大规模资料运算的需求。同时，其低功耗特性显著降低了电脑系统的能耗，进一步提升了电池续航力，为行动装置使用者带来了极大的便利。 DDR3存储器模组表现出高度的相容性，可适应桌上型电脑、笔记型电脑，服务器、工作站等装置上，确保系统运作的稳定性和可靠性。这种广泛的兼容性为用户提供了更自由的选择空间，无需担心存储器模组的兼容性问题，从而大大减轻了用户的困扰。
DDR3报价自2023年9月起陆续走扬，DDR3 4Gb至11月累计涨幅近一成，DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。
2023年年末之际，DDR3相关业者普遍持正面态度，对市况发展充满信心。中国台湾相关厂商，其中钯创公司认为，随着库存的逐步消化，产业已度过循环低谷，逐步迈向复苏阶段。晶豪科公司亦在推动自车规用的利基型储存产品，以满足市场的多元化需求。供应链透露，随着产业经过逾一年去库存，近期终端消费性电子订单大增，带动DDR3晶片需求爆发，因应客户需求，华邦、钯创向载板协力厂备货量激增，晶豪科投片量也有上升趋势，市况回温以及价格反转之际，业者都在备货迎接盛况。
不难发现有相当一部分半导体公司仍在DDR3市场发力，主要关注的市场仍是物联网领域。
华邦的DDR3定价在第二季上涨了约10%，主要是2Gb 和4GbDDR3报价。因此，华邦正全力以赴推动DDR3规格DRAM市场的发展，位于高雄的工厂今年的产能已全面释放，旨在抓住DDR3价格上涨这一有利的市场机会。据预测，华邦今年DDR3产品所带来的DRAM总收入贡献可望达到五成，以充分掌握转接订单所带来的丰富商业机会。随着制程技术升级至DDR3阶段，该公司已加大对DDR3产能建置的投入力道。高雄工厂引进了先进的20奈米设备，产能正逐步释放，未来可望成为华邦新制程DRAM产品的主要制造基地。
在中国大陆市场上，兆易创新也拥有多款DDR3产品。根据公司官网，兆易创新的利基型DDR3L相容于1.5V/1.35V电压供电，读写速率为1866Mbps，最高可达2133Mbps，满足主流应用需求。兆易创新拥有多款利基型DDR3L产品， 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16数据接口，适应0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同温度范围的应用场景。
5月17日，钯创公司董事长卢超群指出，在当前阶段，市场正处于复苏进程之中，尤其在今年上半年。钯创公司的其DDR3系列产品已进入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市场。业界普遍预期，2024年下半年市场活力将显著增强，预计2025年，市场将维持持续成长的强劲势头，整体DRAM价格预计将恢复至疫情前水准。

02 DDR4的成熟期来了
正如所有产品一样，DDR3终究会面临市场的淘汰。
现实是，虽然DDR3价格开始上涨，但其市场的玩家依旧在做“亏本生意”。南亚科技、华邦电子、精英半导体存储器科技（ESMT）等中国台湾存储器公司在2024 年第一季仍处于亏损状态。不过2024 年Q1的亏损有所收窄，ESMT的亏损（179 万美元）在环比和年比上都有所收窄。
存储器产品每两到三年就会升级一次。由于全球重要存储器供应商主要集中在DDR5 或HBM 存储器上，利基Dram制造商将在今年从DDR4 获得新的发展前景。 DDR4 目前正接近上一个DDR3阶段的过渡，预计将促进价格和销售的成长。据相关厂商表示，预计DDR4的出货量将大幅攀升，晶片平均售价也将大幅攀升。
这意味着DDR4将接替DDR3现阶段所在的利基市场。随着三星、SK海力士停止生产DDR3，DDR3向DDR4 的转变已经开始，据报中国台湾内存制造商将从2024 年开始优先考虑DDR4 以提高收入。出货量和平均销售价格(ASP) 的组合将有助于他们今年的成长。
03 存储器市场下半场
后端厂商对2024年第二季开始的存储器产业订单持乐观预期。为因应存储器价格上扬态势，存储器晶片制造商计划终止减产措施，并逐步提升产能利用率，以增强获利能力。关于上游供应增加对整体存储器市场的影响，目前尚待进一步观察。然而，据业内消息人士指出，存储器后端企业普遍预期订单量将有所成长。
市场显示，在3D NAND领域的订单成长预期将特别显著，而DRAM领域的订单成长动能也将从第二季开始显现。据报道，SK海力士和美光科技已着手提升其产能利用率，特别是针对HBM和DDR5等高阶DRAM产品（显然是受AI带动的服务器领域成长）。
同时，消息人士称，第一季存储器产业整体的产能利用率已回升至80%以上水平，预计第二季将进一步升至90%以上。有媒体表示，主要NAND供应商Kioxia也将结束减产措施，其产能利用率亦将回升至90%以上。
供应链制造商的积极备货正推动着存储器市场的持续发展，进而促进了存储器后端企业的销售表现。多家中国台湾后端公司的业绩在2月就出现了成长。茂茂科技2月综合销售额数据显示，其销售额达到新台币17.8亿元（约5,652万美元），较去年同期成长23.64%，较上季成长4%。 ChipMOS也表示，在存储器领域的销售表现强劲，超越了显示驱动IC（DDI）领域的销售表现。尽管客户目前仍主要下达短期订单，但预计第一季的销售额将实现环比成长。力成科技发布的2月合并销售额数据显示，其销售额为新台币58.8亿元，季减3.86%，但年增12.6%。在2024年1至2月期间，其合并销售额累计达到新台币119.9亿元，较去年同期成长17.3%。
然而根据快闪存储器市场的数据，最新一周通路市场存储器最新报价全面下跌，第二季过半，消费性储存需求持续遇冷。值得注意的是，HBM产品产量的持续成长将对DRAM产品供应产生挤兑。 HBM、DDR与LPDDR5X在制程上有冲突，当生产相同bit量的产品时，HBM3E所需的晶圆量大约是DDR5的两至三倍。由于HBM的生产过程也涉及TSV封装技术，这使得HBM的生产周期较DDR5增加1.5至2个月。
随着更多产能倾斜至服务器市场，消费性终端可能面临储存资源结构性稀缺。在巨大的成本压力之下，终端厂商可能会透过降低储存配置来削减成本。 2024的下半场，DDR3和DDR4这些老将或许仍有一战的机会。