台积电今年增7厂 3纳米产能增3倍

中国台湾台积电23日举行技术论坛台湾场，其中在卓越制造环节，罕见由厂长级高管上场，18B厂资深厂长黄远国坦言，虽然今年的3纳米产能比去年增加3倍，但还是供不应求，将持续努力满足客户需求，在建厂部分，今年预计共兴建7个厂，其中包括2座海外晶圆厂。
　值得注意的是，以成熟制程为主的南京厂因为美中科技角力，先前获准的1年豁免许可证将在31日到期，台积电表示，美国商务部近日已核发所谓的“经认证终端用户”（Validated End-User，VEU），该认证无时间限制，但美国政府可视情况随时修改或撤销。
　黄远国指出，台积电在2020年至2024年的先进制程产能，年复合成长率达到25％，但目前产能还是不够，因此在今年先进制程3纳米的产能扩充为去年的3倍，以满足客户需求。
　分析主要原因在于高效能运算（HPC）、旗舰智慧型手机需求扩大，下半年会有苹果的旗舰晶片A18 Pro以及安卓阵营的高通骁龙8 Gen4与联发科的天机9400，预计皆采用N3E制程，其为N3制程的延伸，具备高效能、高良率以及更好的能耗比，其中E代表低耗能。
　除晶圆制程，台积电持续进行全球布局，黄远国表示，在2017年至2019年以1年2座的速度建厂，但是到了2020年至2023年各建了6座、7座、3座、4座，今年则再盖7座新厂。其中2座先进制程晶圆厂分别是新竹Fab20、高雄Fab22的2纳米制程厂，将在明年陆续量产；台中AP5以及嘉义AP7的2座先进封装厂，前者预计明年提供CoWoS封装，后者则在2026年投产，除了CoWoS，还新增SoIC业务。
　海外厂部分，美国亚利桑那州厂预计2025年开始量产4纳米制程晶圆，第2座厂将在2028年量产，并提供更先进的制程，至于第3座厂会在2030年以前量产，将采用最新制程。　日本熊本1厂预计在今年第4季量产，第2座厂采用6、7、40等纳米制程，预计在2028年开始量产，至于第3座厂还未订定量产时程，将依客户需求规画。