路透：三星HBM芯片因发热问题 未通过英伟达测试？

《路透》周四 (23 日) 报导，因发热问题，三星高频宽记忆体 (HBM) 未能通过英伟达 (MVDA-US)测试。
三位消息人士称，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。
消息人士透露，最近对三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失败测试结果已于 4 月公布。 目前尚不清楚这些问题是否可以轻易解决，但消息人士表示，未能满足英伟达要求增加了业界和投资者的担忧，即三星可能会进一步落后于竞争对手 SK 海力士和美光 (MU-US)。
三星声明中表示，HBM 是一款订制记忆体产品，需要根据客户需求进行优化流程，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。
截稿前，英伟达 (NVDA-US) 拒绝置评。
HBM 是动态随机存取记忆体或 DRAM 标准，于 2013 年首次推出，其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，有助于处理复杂人工智慧应用产生的大量资料。随着生成式 AI 热潮中对复杂 GPU 的需求激增，对 HBM 的需求也激增
由于 AI 相关需求，预计 HBM 芯片市场今年将增长超过一倍，达到近 90 亿美元。
HBM3 和 HBM3E 是最新版本的高频宽记忆体芯片，它们与核心微处理器芯片结合使用，帮助处理生成式 AI 中的大量数据
分析师表示，三星本周换掉半导体部门负责人，此举似乎凸显了三星对其在 HBM 中落后地位的担忧，称需要一位新的高层人士来应对影响该行业的“危机”。
KB 证券研究部门主管 Jeff Kim 表示，市场对三星作为全球最大记忆体芯片制造商能够迅速通过英伟达测试抱有很高的期望，但像 HBM 这样的专业产品需要一段时间才能满足客户的效能评估也是很自然的。
尽管三星尚未成英伟达的 HBM3 供应商，但它确实已向 AMD (AMD-US) 供货，2024 年第一季，三星 HBM3 产品陆续通过 AMD MI300 系列验证，故自 2024 年第一季以后，三星 HBM3 产品逐渐放量。