三星HBM传因两问题未获英伟达认证、恐更落后对手

市场传出，三星电子(Samsung Electronics)最新高频宽存储器(HBM)芯片，由于过热及功耗问题，尚未通过英伟达(Nvidia Corp.)检验。
路透社24日独家引述未具名消息人士报导，上述问题会影响三星第四代HBM芯片“HBM3”，以及三星和对手预定今(2024)年上市的第五代“HBM3E”。
这是首度有媒体报导三星未获得英伟达认证的理由。三星透过声明表示，HBM是一种客制化的存储器产品，需按客户需求将制程最佳化，而公司正在跟客户密切合作、把产品改良到最好。三星不愿对特定客户作出评论。英伟达也不愿发表意见。据消息，三星去(2023)年起就一直尝试要通过英伟达的HBM3、HBM3E测试，但4月出炉的结果显示，三星8层与12层堆叠的HBM3E并未通过检验。
目前不清楚这些问题能否轻松解决，但三名消息人士透露，无法达成英伟达要求，让业界及投资人益发担忧，三星在HBM领域恐怕会更加落后对手SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron Technology)。
据消息，英伟达、超微(AMD)等GPU大厂都很希望三星HBM能臻于完善，以藉此削弱SK海力士的定价能力。值得注意的是，SK海力士高层Kwon Jae-soon曾在英国金融时报5月21日发布的报导中指出，旗下HBM3E的良率快要达到80%目标，而投产所需要的时间也缩短50%。
Kwon强调，公司今年目标是生产8层堆叠的HBM3E，因为这是客户最需要的；为了在AI时代保持领先，提升良率变得愈来愈重要。SK海力士直到明年为止的HBM产能几乎已被订购一空。该公司明年计划跟台积电(2330)合作，量产更加先进的HBM4芯片。