半导体突破口为成熟制程、后段封装

中国半导体产业协会（CSIA）IC 分会理事长叶甜春鼓励中国企业专注成熟制程和后段封装创新，比追赶英特尔、Nvidia 和台积电等更优先。
中国努力开发国产芯片，CPU 制造商龙芯 4 月发表可与第十代英特尔芯片媲美的处理器，但性能仍比 AMD、英特尔和高通芯片落后至少五年。
同时美国也阻止 ASML 提供中国曝光设备，对中芯国际造成影响。目前上海微电子已经开始生产曝光设备，北方华创也积极进入这产业，但制造先进芯片方面，仍远落后 ASML。除非中国三至五年克服挑战，否则先进芯片会落后西方对手。
叶甜春认为，中国可开辟一条通往技术优势的新道路，建议中国公司不应追随台积电等全球顶级芯片制造商的纳米竞赛，而专注更成熟制程和架构创新。
毕竟，台积电每年生产的 1,200 万片 12 吋晶圆，近 80% 使用旧制程，不是最新 SoC 最先进设计。由于美国限制，中国拥有较多成熟制程芯片，应发挥核心优势，转向生产大部分电气和电子设备都需要的高品质传统芯片。
叶甜春还建议，应重点关注架构创新和后段封装。摩尔定律表明，3 和 2 纳米芯片受架构限制，Arm 和三星等希望以最大限度提高电晶体密度。中国半导体公司距离这项技术还有几年时间，应考虑最早 7 纳米时创新架构。
叶甜春认为，英特尔、AMD、Nvidia 和高通等公司早在纳米领域占据主导地位，即使中国科技公司想加入这场竞争也很难追上，不如自己开辟道路，创新美国及盟友忽视的技术。