ASML High-NA EUV 创新纪录，每小时最高生产 500 片晶圆

曝光机大厂 ASML 在 imec 的 ITF World 2024 会议上宣布，其首款 High-NA EUV 曝光机现已创下新的晶圆制造速度记录，超过了两个月前创下的记录。
根据 ASML 前总裁兼技术长，目前为该公司顾问的 Martin van den Brink 的说法，新的 High-NA EUV 曝光机晶圆生产速度达到了每小时 400 至 500 片晶圆，是当前标准 EUV 每小时 200 片晶圆的两倍到两倍半的速度。
Martin van den Brink 指出，该公司已经可以开发更新一代 Hyper-NA EUV 曝光机了，以进一步扩展其 High-NA EUV 曝光机共享潜在路线图。而且，透过 High-NA EUV 曝光机速度的提高，也就是达到每小时 400 至 500 片晶圆，是当前标准 EUV 每小时 200 片晶圆的两倍以上速度，来提升产能，并降低成本。
现阶段经过进一步调整，ASML 现在已经用其试验性质 High-NA EUV 曝光机上列印了生产 8 纳米线宽，这是现阶段 EUV 曝光机的新纪录，这打破了该公司在 4 月初当时创下的记录。当时该公司宣布，已使用位于 ASML 荷兰总部与 imec 联合实验室的试验 High-NA EUV 曝光机列印了 10 纳米线宽。就发展路线来说，ASML 的标准 EUV 曝光机可以列印 13.5 纳米的线宽，而新的 High-NA EUV 曝光机则是透过列印 8 纳米线宽来创建更小的电晶体。因此，ASML 现在已经证明其机器可以满足其基本规格。
Martin van den Brink 强调，ASML 当前已经取得了进展，能够在整个列印线宽作业上将其低至 8 纳米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML 对 High NA EUV 曝光机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了 ASML 自己在进行 High NA EUV 曝光机的测试之外，目前唯一安装完成 High NA EUV 曝光机的英特尔，也在美国俄勒冈州的 D1X 工厂投入测试工作。预计将在 intel18A 节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到 intel14A 节点制程的大量生产当中。