某存储器高层：罢工如果拖上一段时间，存储器价格一定涨

南韩科技大厂三星电子工会决定六月七日发动公司有史以来第一次罢工，尽管未详述罢工多久，但存储器通路商及业者正屏息关注事件发展，因为三星不论是ＤＲＡＭ或储存型快闪存储器（NAND Flash）的全球市占都居冠，而两大存储器又是当红的ＡＩ（人工智慧）产业必用元件，影响全球ＡＩ发展冲击甚深 。
一位存储器高层一听到消息，立刻回答：“三星罢工如果拖上一段时间，ＤＲＡＭ和NAND Flash价格一定涨”，“至于涨势和幅度，短期因各家都还有库存，还不会那么快反应”。尽管三星去年下半年已藉由减产纾压库存压力，如今工会上演罢工戏码，市场预期可能扭转市场观望心态，但关键还是得关注劳资双方能否很快达成协议，否则涨势将再起，届时不仅ＳＫ海力士、美光，中国台湾厂家的南亚科、华邦电、力积电和钰创、晶豪科、威刚和群联等都会因此受惠。
外电报导，全国三星电子工会（ＮＳＥＵ）昨在直播记者会说：“我们再也无法忍受对工会的迫害。面对公司对劳工的漠视，我们宣布罢工。”三星电子工会成员高达二点八万多人，约占三星电子员工的两成。工会强调曾试着透过对话解决问题，但双方沟通难以达成共识，工会因而决定诉诸罢工争取权益。
三星电子工会未透露为何选在六月七日发动罢工，但业界推测应是三星电子去年面临NAND Flash价格崩跌，最赚的ＤＲＡＭ同样陷入亏损，加上代工事业也没有重大进展，三星半导体部门十五年来首次陷入亏损，亏损额更是史上最大，三星电子员工去年也罕见中止分红，可能因此引发员工不满。
三星电子是南韩最大集团旗下子公司，其生产的ＤＲＡＭ全球市占率逾百分之四十五，NAND Flash全球市占也逾三成，两大存储器全球市占率居冠，尤其两大存储器更是所有科技产品必用元件，一旦罢工潮上演且时间拖长，影响将非常深远，尤其生成式ＡＩ蓬勃发展，近期ＡＩ晶片大缺货，缺货关键是高频宽存储器（ＨＢＭ）和ＡＩ先进封装CoWoS产能赶上需求，三星生产的ＨＢＭ在全球供应虽不如ＳＫ海力土高，却有举足轻重地位。
业界人士分析，三星罢工虽然偏重于规画性而非无预警式停工，预料三星短期仍可透过现有库存支应市场需求，但若罢工期拉长，ＤＲＡＭ和NAND Flash一定会涨价。

三星产品、订单 出货受影响
中国台湾台积电和三星晶圆代工竞争态势持续，但业界指出，有别台积电的纯晶圆代工模式不和客户竞争，三星集团以ＩＤＭ模式发展，自家晶圆代工产能超过六成供给自用与自家芯片生产，若后续发生罢工影响，预料将直接干扰三星自家产品出货，至于委外订单恐也将因产能吃紧受排挤影响出货顺序，后续情况仍待观察。
三星先前预期，将在整体晶圆代工市场持续追赶台积，依据三星财报会议资料，三星晶圆代工事业最高主管Taejoong Song提到，顺利量产ＧＡＡ三纳米第二代技术并提高二纳米技术成熟度，后续计划扩大来自人工智能和高速运算等高成长应用的订单。
三星先进制程技术持续和台积电竞争，其中三纳米并积极争取二○二四年高通骁龙（Snapdragon）芯片代工。
先前外界传出高通下世代芯片8 Gen 4有望由台积三纳米独家操刀，但熟知高通生态的业界指出，从管理成本角度，高通一向乐于选择采用两家供应商，加上三星晶圆代工三纳米的产能目标在今年提升，也成为三星半导体关键成长力道。
以赛亚调研指出，今年的骁龙8 Gen 4是否会在三星三纳米工艺上达到有量生产（meaningful volume），将取决于今年九月三星三纳米的良率表现，预期真正要放量可能也要明年才看得到。
三星强调，在手订单创历史新高，三纳米与二纳米技术发展顺利，将在第二季完成二纳米设计基础设施的开发；而在四纳米方面，良率渐趋稳定，同时目标旗下３Ｄ ＩＣ扩大先进封装的竞争力。