ASML芯片制造密度创纪录 速度提升150％

ASML高数值孔径极紫外线（High-NA EUV）曝光机超越芯片制造密度纪录，并可将制造速度提升150%。
荷兰芯片制造设备大厂艾斯摩尔（ASML）凭藉其高数值孔径极紫外线（High-NA EUV）曝光机超越了自己的芯片制造密度纪录，并可将制造速度提升150%。
ASML前总裁、目前担任顾问职务的Martin van den Brink在imec ITF World 2024 会议上向与会者表示，该公司已经利用High-NA EUV机器成功打印了8纳米密集线，打破了ASML在2020年创下的1000万条密集线纪录。
Van den Brink 概述了一项计划，透过从根本上将未来ASML曝光机的速度提高到每小时400至500片晶圆（wph），比目前200 wph的高峰值高出一倍多，即提升了100%至150%，从而降低EUV芯片制造成本。
Van den Brink表示：我们已经取得了进展，能够在整个视场上显示低至8nm的创纪录成像，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠。该记录是在ASML和比利时研发组织imec 联合实验室创下的成果。
ASML 是制造最先进的3纳米和5纳米芯片所需的极紫外曝光机的全球唯一供应商。该公司于2013年首次生产的标准机器具有0.33NA（数值孔径），而高NA机器具有0.55NA。与传统0.33NA EUV不同，高NA EUV每次曝光所需的光线更少，从而减少了列印每层所需的时间，提高了晶圆产量。
本月稍早有报导称，英特尔已获得ASML将于2024年生产的所有高数值孔径EUV机器库存，每台成本约为3.7亿美元。英特尔于2024年1月从ASML收到了第一台高数值孔径EUV机器，并于4月中旬完成了俄勒冈州机器的组装。