韩媒爆三星将公布1纳米计划

落后英特尔、台积电好焦虑？　韩媒爆三星将公布1纳米计划
目前先进制程领域竞争，仅剩下台积电、三星、英特尔这三家晶圆代工厂商有办法实现量产，随着制程工艺来到埃米(A)时代，中国台湾台积电在先前技术论坛说明，2纳米制程采用纳米片（nanosheet）技术，转换成良率超过 80%，预计2025 年实现技术量产，更先进的A16制程，将在2026年量产，英特尔则是表示，英特尔先前宣布，将在Intel A18制程采用High-NA EUV机台，之后正式导入于2027年生产Intel A14制程。韩媒报导，三星可能感觉到焦虑，将在6月宣布1纳米制程的计划。
据《BusinessKorea》报导，三星电子预计将1纳米制程的量产时程，从原先规划的2027年，提早1年至2026年。三星晶圆代工事业部门预计在6月12日在美国矽谷举行为期2天的三星晶圆代工论坛，并且宣布1纳米计划。三星半导体事业暨装置解决方案事业部门（Device Solutions）在早前撤换了负责人，改由三星SDI 前执行长、存储器业务前高阶主管全永铉(Young Hyun Jun ) 接任，试图改变三星在先进制程、先进存储器发展落后的困境。
台积电业务开发、海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，3纳米客户需求非常强劲，可以看到今年下半年无论是智慧型手机、高效能运算（HPC）等产品，都会进入到3纳米时代。张晓强也说明，2纳米发展顺利，前纳米片转换表现已经达到目标 90%，转换成良率超过 80%，预计2025 年实现技术量产。A16制程按照先前规划，将在2026年底量产，这也打破市场对于台积电2纳米制程延期的传闻。
该传闻源自于，三星是最早从鳍式场效电晶体架构（FinFET）转入环绕闸极电晶体架构（Gate-All-Around，GAAFET）的厂商，率先在3纳米制程使用，台积电则是要等到2纳米制程才会导入GAA技术，因此有台积电技术延宕的传闻出现。
虽然张晓强声称，台积电不需要High-NA EUV 机台也能打造A16制程的晶片，但后来传出台积电总裁魏哲家前往欧洲造访了ASML荷兰总部，以及工业雷射大厂“创浦”（TRUMPF）德国总部，媒体推测，台积电可能会改变A16制程不使用High-NA EUV 机台的策略。