AI用HBM迎“超级周期”！大摩：第3季DRAM报价喊涨15％

人工智能需求爆增，加上过去2年资本支出不足，DRAM市场正迎来前所未有的“超级周期”。大摩预计，到2025年，HBM的供应不足率为-11%，在记忆体将出现前所未来的供需失衡，价格将跟着水涨船高，预估记忆体价格在2024年每季将呈现2位数飙涨，而第3季报价季增上看15%。
外媒报导，摩根士丹利表示，由于DRAM供应不足，加之过去2年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为DRAM市场超级周期提供了动力。
大摩指出，这种投资的缺乏正发生在记忆体供应链迅速转移到HBM（高频宽记忆体）之际，HBM所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低。
大摩预计，到2025年，HBM市场率占比将增长，整体市场供应不足将更明显。
预计到2025年，HBM整体潜在市场（TAM）预计将显著增长，从2025年的370亿美元（约新台币1.2兆元）增长到2027年的700亿美元（约新台币2.26兆元），市占将占整个DRAM市场的30%以上，混合价格将上涨10%以上。
大摩进一步指出，从2025年开始，智能手机和个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的DRAM产能，预计市场届时将面临严重的供应短缺，HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。
价格方面，SK海力士和三星电子都在积极扩展HBM和DRAM的生产能力，预计2024年第2季度DRAM合同价格将季增13-18%，第3季度可能上涨10-15%。
大摩给予收益预测和价格目标变化，将DRAM和NAND的第3季度定价展望分别上调至13%和20%，而之前的预测为DRAM 8%和NAND 10%。
上调的原因，主要是客户行为发生了变化，确保供应越来越多地优先于定价，来自中国的订单智能手机OEM应该会继续上升到第3季度，PC ODM/ OEM将继续确保DRAM供应，同时为某些大型PC OEM保持接近20周的库存。行业产量仍低于需求，减产仍在继续，而需求环境的改善也为2024年下半年的价格前景带来了更大的确定性。
AI驱动的HBM“超级周期”将为SK海力士和三星电子带来市占的增长，大摩将SK海力士目标价提高11%至30万韩元，较目前有约30%的上涨空间，其预计海力士2024年和2025年的每股盈余将比市场预期高出59%，海力士2024年第3季度的业绩指引将会更高。
至于三星电子目标价亦提高至10.5万韩元，较目前有36%上涨空间，并指出三星电子获得辉达的资格在2025年将至关重要。对三星来说，最好的结果是明年获得HBM3E资格，以避免GPU需求出现任何供应中断。最糟糕的情况是，三星可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商品DRAM市场。如果三星的HBM晶圆产能转向DRAM，这可能会对DRAM市场供应产生显著影响，增加供应增长。