美光深化供应链，伙伴浮出台面

生成式AI发展快且猛，需求高速成长下，先是先进封装CoWoS供不应求，前阵子水冷散热零件也出现缺货涨价，而近日，高频宽存储器(HBM)再成为市场当红炸子鸡。美光就表示，今年HBM产能已完售，且25年绝大多数产能也已被预定，SK海力士今年乃至于明年的HBM芯片亦呈现热销一空的盛况。
AI带动HBM需求水涨船高，主要因AI芯片需要处理大量且并行的数据，而HBM主要结构是由多层DRAM存储器小芯片形成的高容量存储器垂直堆叠，运用垂直堆叠的短距离，确保层与层间的讯号传输快速且耗能低，提升运算效能；故与传统DRAM相比，HBM的高频宽、低功耗与体积小成为AI应用的首选。
目前，HBM技术由3大存储器巨头掌握，其中又以最早投入的SK海力士拥有最高、超过5成的市占率，为HBM领头羊。然而与此同时，美光虽布局HBM较晚，但其企图凭藉着HBM3e产品弯道超车，不仅已宣布量产，同时也拿下英伟达H200的订单，可以说已在技术上赶上海力士。
事实上，美光在矽穿孔(TSV)具有坚强实力、拥有全球最先进之技术，由于TSV就类似于散热孔洞，因此数量越多散热效果也就越好，而目前美光孔洞间的间距为业界最小，此为开发HBM的一大竞争优势。另外，美光在DRAM制程上也领先对手，预计于25年量产1γ(1-gamma)。
在美光的TSV及堆叠产能皆着重供应HBM生产下，16Gb DDR5的TSV及堆叠产能将可望释出予封测业者中国台湾厂家力成；不仅如此，力成也强调，公司积极强化制程技术，目前已成为全球专业封测委外服务代工厂(OSAT)当中，少数具备HBM Via middle封装能力的厂商，并与日本无晶圆厂进行合作，已有2、3个客户洽谈中。
此外，力成全力扩大AI芯片HBM和其他先进封测产能，并大举提升今年资本支出至新台币150亿元，较原先规划的100亿元成长5成，增幅不仅为本土封测厂之冠，更较去年大增逾1倍。
展望未来营运，力成看好，随半导体库存回到健康水位，今年营运可望恢复成长，而首季将是全年低点，下半年则可见到较明显的成长动能。力成发展逻辑芯片封测与先进封装技术已数十年，如今随着HBM需求水涨船高，力成营运也可望走出新格局。
中国台湾厂家中砂为美光在台的重要伙伴之一，随美光在HBM市场急起直追、产能提升，将带动中砂测试晶圆之比重，改善其晶圆事业部产品组合，同步挹注营运表现。公司近年积极朝高附加价值产品发展，高阶钻石碟获得大客户认可，目前占营收比重达30至35%，其中5纳米制程以下占该业务营收比重达约50%，并持续配合客户将技术及产品往下一世代推进。
中砂24、25年营收成长动能主要来自于台系晶圆代工厂3纳米需求强劲，且2纳米将于25年下半年进入量产阶段，因此预期25年上半年开始将看到2纳米钻石碟的营收贡献。此外，鉴于钻石碟寿命减少、CMP层数提升、中砂钻石碟市占率提升及部分钻石碟价格提升等因素，预期在相同晶圆出货量的假设下，2纳米钻石碟营收贡献将较3纳米成长约20%。
中国台湾厂家中砂透过技术、矽智财(IP)优势，加上服务极具竞争力，在先进制程持续升级，并不断在新旧客户中提升市占，有利钻石碟业务的混合单位售价与毛利率。另，再生晶圆制程能力则升级到17纳米，且客户群多元广泛，涵盖晶圆代工厂、美日存储器厂、美系IDM厂。整体来看，中砂今年起重拾获利强劲成长，法人圈普遍预估今年EPS将突破8元，而美系外资近期报告也乐观预估公司明、后两年的EPS分别为11.56元与16元。
此外，为拉近与中国台湾厂家台积电的差距，英特尔正积极冲刺先进制程晶圆代工市场，预计下半年量产最新20A制程，明年进一步导入更先进的18A制程，在此之下，英特尔也扩大与台湾半导体设备、材料业者合作。而中砂也已卡位英特尔先进制程供应链，预期最快25年初可看到营收贡献。