三星更新2纳米产品路线图、推一站式服务

三星电子(Samsung Electronics)周三(6月12日)更新了先进制程的产品路线图，并推出最新一站式AI芯片制造服务，把旗下存储器、晶圆代工及IC封装服务全部整合在一起，目标是让辉达(Nvidia Corp.)、超微(AMD)等客户更快打造出自家AI芯片。
路透社、ZDNet等外电报导，三星总裁暨晶圆代工事业部负责人崔时荣(Siyoung Choi) 12日在加州圣荷西(San Jose)举办的年度论坛上指出，客户跟整合存储器、晶圆代工和芯片封装团队沟通管道的单一窗口沟通，可将生产AI芯片的时间，从原本要花的数周缩减约20%。
崔时荣表示，三星预测到了2028年，全球芯片产业营收有望成长至7,780亿美元。
随着AI芯片需求飙升，加上个别芯片零件须高度整合，才能以更少的电力来训练AI模型或依据大量资料进行推论，三星相信其一站式服务将成为重要优势。
三星表示，过去一年来，Samsung Foundry的AI相关营收成长80%，客户层的分散也有重要进展。三星目标是让超过50%的晶圆代工营收来自行动装置以外的领域。
三星并展示了最新2纳米，名称为“SF2Z”。根据三星13日发布的新闻稿，首次采用“背面供电网路”(BSPDN)的SF2Z制程将用于高效能运算(HPC)及AI芯片，预计2027年问世(产品路线图如下)。
其他晶圆代工商也在各自准备自家的BSPDN技术，英特尔(Intel Corp.)将之称为“PoweVia”，台积电(2330)则称为“超级电轨”(Super PowerRail)，两家公司也都要在2纳米或以下制程使用这些技术。
根据三星说法，将供电网路放在晶圆背面，可改善效能、功耗及面积(performance、power、area，简称PPA)，同时还能降低电压。三星此前曾表示，SF2制程将于2025年发布。
三星是全球第一家在2022年量产3纳米准环绕式闸极(GAA)电晶体架构先进芯片的业者。三星12日在论坛上表示，GAA制程的效能及良率都在逐渐成熟，第二代3纳米制程“SF3”预定今(2024)年稍晚发布。三星并说，明年推出的2纳米芯片也会采纳GAA架构。
三星同时表示，4纳米制程更新版“SF4U”预定2025年发布。另外，重申1.4纳米(SF1.4)会于2027年推出，正在为1.4纳米以下制程做准备。