DRAM迎超级周期！大摩喊Q3涨15％ 2025供需失衡前所未见

AI狂潮推动存储器需求飙升，加上过去两年存储器厂资本支出不足，华尔街投行摩根士丹利高喊，DRAM市场正迎来前所未见的“超级周期”，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格也跟着水涨船高，第三季报价估季增15％。
国际大厂戮力投入高频款存储器（HBM）消耗庞大产能，加上过去两年资本支出不足、没有新的晶圆厂扩增产能，导致标准型DRAM供应锐减。摩根士丹利（大摩）预期，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格将随之走扬，第三季报价估计增15％。
无独有偶，瑞银证券最新报告也与大摩看法相仿，透露国际大厂抢进HBM对标准型DRAM造成产能排挤，为DRAM市场迈向超级周期提供动力，已成外资圈共识。
HBM所需晶元容量是标准型DRAM的两倍，而现阶段HBM良率远低于标准型DRAM，也因此消耗更多产能，加上过去两年存储器厂资本支出不足，导致新增产能有限。
大摩表示，由于HBM对标准型DRAM带来产能排挤效应持续存在，复以AI智能手机、AI PC创造出额外的产能需求，DRAM市场预计将面临更严重的供应短缺。预期2025年标准型DRAM缺口将罕见高达23％，并推升DRAM价格水涨船高。大摩更指出，随着HBM市占率攀升，整体市场供应不足将更加显著。
第三季DRAM和NAND芯片价格预估走扬，大摩大举调高涨幅为13％与20％，调升幅度超过六成。国际大厂SK海力士、三星持续拓产HBM、DRAM产能，预估第三季DRAM合约价季增约10～15％。
而随着DRAM超级周期迎面而来，报价涨幅超乎预期，可望成为南亚科、十诠、威刚等台厂的营运火种。