HBM挤压DRAM产能，缺货涨价潮将再现？

英特尔 (Intel) 和超微(AMD) 都预计于 2024 年推出搭载 DDR5 的新平台，带动新一波的换机潮与 AI PC 的发展。大型服务器、数据中心和高阶工作站等需要高速及大容量的 DRAM，以实现更快的数据存取速度，进一步促进 DRAM 需求，根据统计DRAM 受惠产品合约价上扬，第 1 季营收 183.5 亿美元、季增 5.1%， DRAM 三大供应商三星、SK 海力士、美光第一季受淡季效应影响出货同步减少，加上库存水位正常，意图延续 2023 年第四季合约价上涨的氛围。
但为了加速推广 AI 技术广泛应用，国际大厂纷纷投入高频宽存储器 (HBM) 制造，挤压标准型 DRAM 产能，摩根士丹利就预测，2025 年将出现前所未见的 DRAM 供需失衡“超级周期”，并将今年第三季 DRAM 和 NAND Flash 芯片价格涨幅预估由原预期的 8% 和 10%，调升至 13% 和 20%。瑞银证券最新报告也认同国际 DRAM 大厂抢攻 HBM，造成标准型 DRAM 产能排挤效应，将推升产业迈向上升周期。
半导体专家杨瑞临指出，AI 的推论功能将逐渐从云端扩散至终端装置，边缘 AI 市场预计 2025~2026 年进入爆发式成长，存储器需求同步攀升，台湾的 DRAM 产业迎来重生机会，中国台湾厂家方面，南亚科的高密度 RDIMM 产品效能佳，比 HBM 具有数倍的溢价优势，估计约有 10% 渗透率，计划在 2025 年第三季或第四季前量产；华邦电第二季进行 20 纳米制程升级，推出 4Gb DDR4 新产品，并规划下一世代 DRAM 制程朝 16 纳米发展；爱普推动 VHM 3D 整合专案研发，与力积电合作开发 3D 封装堆叠技术，预计 2024 年下半年问世；钰创开发 MemoraiLink 高效 AI 存储器平台，整合 AI、专精型 DRAM、存储器控制 IP 及封装技术，有效缩短新品上市时间，预计 2024 年下半年陆续出货。
下半年随着市场扩大推出 AI 手机、NB、PC 等产品，对于边缘运算所需的存储器用量将明显增加，过去几年因消费电子需求不振，大厂对 DRAM 资本支出明显放缓，目前因 AI 服务器大量 HBM 需求而排挤到 DRAM 生产，因此一旦市场对 AI 手机、NB、PC 等产品接受度提高，DRAM 供不应求状况将明显浮现，久久一次的循环周期值得期待，相关厂商自然不会错过这个大好机会。