ASML 公布 Hyper NA EUV 光刻机，有能力生产 0.2nm!!!

ASML 去年底向 Intel 交付了全球首台 High NA EUV 极紫外光刻机，并且目前正在开展对 Hyper NA EUV 光刻机的研究工作，这一新型光刻机有望实现半导体工艺推进到 0.2nm 左右，也就是 2A (埃米)。ASML 初代的 Low NA EUV 光刻机的孔径数值为0.33，其产品线包括 NXE 系列的 3400B/C、3600D、3800E，还有即将发布的 4000F、4200G 以及 4X00 机型。这些装置预计将在 2025年启动 2nm 级别量产能力，并将在未来通过增加曝光次数来实现 2027年达到 1.4nm 级别量产的目标。
进一步的升级是 High NA 光刻机，其孔径数值提升到 0.55，所对应的产品为 EXE 系列。当前版本包括了 5000 和 5200B，还计划推出 5400、5600 和 5X00 等型号。这些新型号将开始适应低于 2nm 工艺，并且 Intel 将以 14A 1.4nm 工艺首次使用它。预计到 2029年，这些机型将能够量产 1nm 规格，结合多重曝光技术，到 2033可能实现最高 0.5nm 的量产，至少可达到 0.7nm 规格。
至于更先进的 Hyper NA 光刻机，预计将达到 0.75 或更高的孔径数值，计划在2030年前后推出，这标志着 HXE 系列的开始。对于 ASML 来说，Hyper NA 光刻机有可能实现 0.2nm 甚至更先进工艺的量产，但这一预测的可信度还有待考究。
需要注意的是，这里提到的工艺节点，并非指的是晶体管的实际物理尺寸，而是一种相对等效的表述方式，它基于性能和能效的比例提升来定义。例如，0.2nm 工艺实际上对应的晶体管金属间距在 16-12nm 之间，未来还会进一步缩小至 14-10nm 。
Low、High 与 Hyper 三个级别的光刻机都将使用同一个 EUV 平台，并在许多模块上实现通用性，这将大幅降低研发、制造和部署成本。然而，High NA 光刻机的价格高达约 3.5亿欧元，Hyper NA 版本预计会更昂贵，并进一步接近物理极限。因此，无论是技术还是成本方面，面对未来 Hyper NA 之后的路径，目前仍有很多不确定性。
IMEC 微电子研究中心的项目总监 Kurt Ronse 对此表示担忧：“很难想象仅有 0.2nm 大小的装置元件，这仅相当于两个原子宽度。也许在某一刻，现有的光刻技术将会走到尽头。”