CPU/GPU直接堆叠HBM！三星今年推“3D HBM芯片封装”服务

《韩国经济新闻》（The Korea Economic Daily）报导，三星今年将推高频宽存储器（HBM）3D 封装服务。
三星去年宣布 3D AI 芯片封装“SAINT”（三星先进互连技术）平台，包括三种技术：垂直堆叠 SRAM 和 CPU 的“SAINT-S”，CPU、GPU 等处理器和 DRAM 存储器垂直封装的“SAINT-D”，以及应用处理器（AP）等逻辑芯片堆叠的“SAINT-L”，今年上线。
三星一直在开发 SAINT-D 技术，看来今年会进入黄金期。三星新 3D 封装是在处理器上垂直堆叠 HBM 芯片，与透过矽中介层水平连接 HBM 芯片和 GPU 的 2.5D 技术（I-CUBE）不同。垂直堆叠不需矽中介层，但制程更复杂，能制造新 HBM 存储器基础芯片（base die）。
3D 封装能使数据传输更快、讯号更清晰、功耗及延迟性降低，但成本也更高。三星计划以 Turnkey 服务提供先进 3D HBM 封装，由存储器业务部门生产 HBM 芯片，代工部门为无晶圆厂组装实际处理器。
不过，在逻辑芯片上安装 HBM 需适当芯片设计，目前还没发现任何知名公司处理器可在上面安装HBM。此技术将于今年至 2025 上半年推出。
展望未来，三星目标是到 2027 年推出一体化异质整合技术，实现两层逻辑芯片、HBM 存储器（积体电路上），甚至协同封装光学器件（CPO）整合。