美光传正在扩大美国HBM产能、考虑首度赴马生产

市场谣传，存储器大厂美光(Micron Technology)正在美国建造先进高频宽存储器(HBM)的试产线，并考虑首次赴马来西亚生产HBM，以抓住更多AI需求浪潮。日经19日引述未具名消息人士报导，美光正在位于爱德荷州波夕(Boise)总部扩充HBM相关研发设施，当中包括生产及验证线。另外，美光也考虑在马来西亚打造HBM产能，该公司在当地已设有芯片测试及组装厂。
美光规模最大的HBM生产基地位于中国台湾台中市，此处也在扩产中。美光已设定目标，准备在2025年底前将HBM市占拉高三倍以上至24~26%，跟该公司传统DRAM的市占相去不远(约23~25%)。
美光已跟SK海力士(SK Hynix)一同获得英伟达(Nvidia Corp.)认证，可为AI芯片“H200”生产HBM3E。三星电子(Samsung Electronics Co.)尚未获得英伟达放行，该公司较不先进的HBM3、HBM2E目前主要供应超微(AMD)、Google及亚马逊(Amazon.com)。
英伟达执行长黄仁勋(Jensen Huang) 6月4日曾于台北国际电脑展(Computex)对记者表示，英伟达正在检验三星及美光提供的HBM。他说，“我们只是需要完成工程方面的作业，目前还没有。”“我原本希望昨天就能结束工作，但事与愿违，我们需要耐心。”
被记者问到路透社关于三星HBM面临过热及功耗问题的报导时，黄仁勋仅说，“那里面没有故事。”
Stifel分析师Brian Chin 6月18日决定将美光目标价从140美元上修至165美元，因为从AI的成长性来看，美光股价依旧合理。他对HBM及美光HBM3E的前景感到乐观。Chin相信，美光的HBM3E 12-Hi堆叠存储器有望在年底前，获得英伟达“B200”平台认证。