SK海力士宣布与台积电合作强化HBM4制造、封装效能

南韩存储器厂SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已跟中国台湾台积电建立策略伙伴关系，目标是提升高频宽存储器(HBM)及先进封装技术产能。
韩联社报导，SK海力士19日发布声明稿表示，依据双方最近在台北敲定的备忘录，两家半导体巨擘将合作开发第六代HBM4晶片、预定2026年量产。
SK海力士指出，透过产品设计、晶圆代工与存储器提供商的三方合作，有望让存储器效能出现突破性的发展。
SK海力士、台积电初步会先设法提升HBM封装最底部的基底裸晶(base die)效能。另外，SK海力士计划为HBM4基底裸晶运用台积电的先进逻辑制程，强化其功能，以满足客户对效能、能源效率的要求。
直到当代的HBM3E为止，SK海力士都是运用独家技术打造基底裸晶。
除此之外，SK海力士、台积电也会携手合作，将HBM与台积电CoWoS封装技术的整合效果最佳化。