HBM需求急增、供不应求 DRAM价格弹升8%

使用于生成式AI的高频宽存储器(HBM)需求急增、供不应求，带动DRAM价格3个月来首度呈现上涨、弹升8%。
日经新闻26日报导，因使用于生成式AI的HBM需求急增，带动在智慧手机、PC、资料中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格弹升。2024年5月份指标性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个2.10美元左右、容量较小的4Gb产品价格为每个1.62美元左右，皆较前一个月份上涨约8%、皆为3个月来首度呈现上涨。截至2024年4月为止、DRAM价格连2个月呈现持平。DRAM批发价格为存储器厂商和客户间每个月或每季敲定一次。
报导指出，HBM为堆叠多个DRAM芯片、可高速处理大容量数据的存储器，大部分供应给生产生成式AI用GPU的英伟达(Nvidia)使用，而HBM需求强劲是带动5月份DRAM批发价弹升的主因。某家电子产品商社指出，“HBM供给追不上需求、数量短缺”。

另一家电子产品商社负责人表示，“为了增加HBM供应、缩减DRAM产量，也造成传统DRAM价格扬升”。生产HBM所需的设施是生产传统DRAM的约3倍大，HBM产量增加的话、其他DRAM产量就会减少。

美光传正扩大美国HBM产能、考虑首度赴马生产
外媒6月19日报导，美光正在位于爱德荷州波夕(Boise)总部扩充HBM相关研发设施，当中包括生产及验证线。另外，美光也考虑在马来西亚打造HBM产能，该公司在当地已设有芯片测试及组装厂。
美光规模最大的HBM生产基地位于中国台湾台中市，此处也在扩产中。美光已设定目标，准备在2025年底前将HBM市占拉高三倍以上至24~26%，跟该公司传统DRAM的市占相去不远(约23~25%)。
世界半导体贸易统计协会(WSTS)6月4日公布预测报告指出，因全球AI相关投资持续旺盛，带动存储器、部分逻辑芯片需求急速扩大，因此将今年(2024年)全球半导体销售额预估值自前次(2023年11月28日)预估的5,883.64亿美元上修至6,112.31亿美元、将年增16.0%，超越2022年的5,740.84亿美元、创下历史新高纪录。
WSTS将2024年存储器(Memory)全球销售额自前次预估的1,297.68亿美元上修至1,631.53亿美元、将暴增76.8%。