人工智能市场需求提升，三星预计第三季存储器涨价 15%~20%

三星电子计划第3季把服务器用的DRAM和企业级NAND快闪存储器的价格提高15%~20%

由于人工智能 （AI） 市场的需求增加，存储器市场的竞争进一步加剧，这使得韩国三星预计藉由产品的涨价，在下半年业绩将有所改善。

业界认为，在原厂捍卫价格状态下，具有强大的支撑力，且现阶段三大原厂都全力发展HBM（高频宽存储器），排挤DDR4、DDR3的产出，均有助于DRAM产业维持健康态势。

根据市场调研机构Omdia的数据显示，三星电子在2023年第4季，DRAM于全球市占率高达45.7％，位居龙头，是继2016年第3季度之后时隔七年创下最高值，在全球NAND芯片市占也高达三成以上，居业界一哥，显示三星在存储器的地位具有绝对的话语权。

根据韩国每日经济新闻的报导，三星近期已向包括戴尔科技、慧与 HPE 在内的主要客户告知了涨价计划，准备在第三季中将其主要存储器、服务器 DRAM 和企业级 NAND Flash 快闪存储器报价提高 15~20%，而三星第二季已将其企业级 NAND Flash 价格调涨 20% 以上。

报导指出，相关的涨价计划是三星负责半导体业务的设备解决方案部门 （DS） 日前在京畿道华城工厂中召开全球战略会议时，进一步将相关计划进行了说明。对此，根据资料显示，2024 年第一季全球企业级 NAND Flash 快闪存储器的销售金额达到37.58 亿美元，较前一季成长 62.9%。而不断成长的 AI 需求，导致部分产品库存出现短缺情况，客户也越来越愿意提前进行下单。

报导强调，具有代表性的服务器 DDR4 存储器颗粒，最初预计仅会从第二季的 140 美元小幅上涨至第三季的 144 美元。但现在来看，其交易价格很可能会达到 160 美元以上。报导引用韩国市场人士的说法指出，客户正常来说只需要提前给出下一季的需求。不过，现在却告诉芯片制造商他们的全年计划。“这证明他们希望取得供应”，由于目前是供应商主导的市场，最终的谈判涨幅很可能还会高于 15%。

       但DRAM的现货价格依然疲弱，三星将其产能转向高频宽存储器（HBM）产品的制造，对现货价格几乎没有帮助。本周DRAM现货交易依然冷清，DDR4产品价格较DDR5产品下跌更显著。NAND快闪存储器的总交易量，也因市场需求减弱而疲软。库存压力将继续拉低现货价格，本周512Gb TLC晶圆价格降至3.302美元，减少0.21％。

　美光台中工厂于6月20日发生火灾事故，但没有实际损失（以位元计）。中国台湾模组厂暂时停止报价，但很快恢复交易活动，此一意外事件对现货价格趋势，并没有正面影响。