南亚科、华邦电 后市展望正向

尽管美光股价在公布财报后下跌，机构仍坚定认为，AI发展将是存储器历史上增长最快的新驱动力。由于高频宽存储器（HBM）对产能排挤效应远超过中国大陆新增产能，机构预期，在定价能力看升下，中国台湾厂家南亚科、华邦电等后市展望依旧正向。
世界半导体贸易统计协会（WSTS）日前将今年全球存储器销售额预估数，自前次的1,297.6亿美元上调至1,631.5亿美元，幅度暴增76.8%；2024年全球半导体设备销售额预估值，也自前次的5,883亿美元上修至6,112亿美元，年增16%，创下历史新高。
事实上，日前外资机构已上调全球HBM市场预测规模，估计2026年达300亿美元，SK海力士将在未来二到三年维持HBM3和HBM3E主导地位，整体HBM市占率达50%以上；三星在HBM2E保持领先。
另外，因先进DRAM投资将复苏，机构也看好东京威力科创在蚀刻、涂布与显影设备专利技术的竞争力，后市可期。
台厂方面，本土某大型券商投顾指出，美光于法说会指出，2025年NAND及DRAM的leading-edge产品供应仍非常吃紧，且HBM产能提升将限制传统DRAM产品供应。暗示美光计划将传统DRAM产能升级为HBM产能，以达成其HBM市占率目标。
另方面，部分投资人担心大陆业者正扩大存储器产能，恐对市场合约价与现货价造成影响。
不过，台湾某大型券商投顾预估，即便大陆业者扩大生产能量，也无法弥补HBM对产能造成的排挤，因此DRAM厂如南亚科、华邦电定价能力将进一步提升，成为受惠族群。