三星3纳米良率太惨 传Galaxy S25拟导入联发科芯片

由于韩国三星3纳米制程良率低于20%，该公司Exynos 2500处理器量产出现困难，恐不足以支应下世代旗舰机种 Galaxy S25，再加上高通价格上涨，传出三星拟导入中国台湾联发科芯片。
以往三星 S 系列的旗舰级手机都采用三星 Exynos 或高通 Snapdragon 系列芯片，碍于三星3 纳米制程良率不稳，下一代旗舰手机处理器Exynos 2500良率被爆出低于20%，这一数字远低于良率60%的量产门槛。
此情况为Exynos 2500是否可如期应用于Galaxy S25系列手机，蒙上一层阴影，不仅如此，高通拟大幅调涨芯片价格，在成本考量下，三星将不得不尽快考虑另一个计划，传出三星对采用联发科芯片的意愿大增。
科技媒体《WccfTech》报导，联发科已经透过几代产品证明，其所生产的旗舰芯片不仅可以与高通竞争，还可以与苹果的 A 系列产品正面交锋。
报导指出，现阶段尚不清楚三星是否能够提高其 3纳米制程良率，但三星在采用尖端曝光技术大规模生产晶圆方面落后于台积电。由于这个原因，韩国也失去高通 Snapdragon 8 Gen 4 的订单，因此假设三星已经没有选择并且无法及时实现 Exynos 2500量产计划，“我们可能会看到 Galaxy S25 型号配备不同的处理器”。