韩媒：三星电子新设HBM芯片开发团队

据《韩联社》报导，业内消息人士周四 (4 日) 表示，三星电子新成立了一个专门开发高频宽存储器 (HBM) 的部门，以重新夺回人工智能半导体市场的领导地位。
消息人士称，新的 HBM 开发团队是该公司半导体部门组织改革的一部分，旨在巩固研发职能并加强研究工作，高效能 DRAM 设计专家副总裁 Sohn Young-soo 将领导团队。
这次重整是副会长 Sohn Young-soo5 月下旬上任以来的首次重整，HBM 团队将专注于下一代 HBM4 产品以及 HBM3 和 HBM3E 的研发。
此举凸显了三星致力于加强其 HBM 研发结构的承诺，HBM 是一种需求量很大的高效能 DRAM，特别是对于 Nvidia 的图形处理单元，这是人工智能运算的关键。
三星电子已开发出业界领先的 12 层 HBM3E 产品，目前正在接受 Nvidia(NVDA-US) 的品质测试，但这项产品的市场一直由其竞争对手 SK 海力士以其最新的 HBM3E 领先。
为了巩固自己的地位，三星电子还重组了其先进封装团队和设备技术实验室，以增强其整体技术竞争力。
该公司最近用 Jun 取代了半导体业务主管，并开始招募 800 多个职位，其中包括开发和验证下一代 DRAM 解决方案控制器的职位。
过去几年，三星电子的芯片业务一直受困于销售低迷，去年营业亏损超过 15 兆韩元 (110 亿美元)。从 2022 年第四季到 2023 年第四季度，该公司连续五季出现营运亏损。
然而，由于存储器芯片价格上涨，2024 年第一季芯片业务反弹，实现营业利润 1.91 兆韩元，销售额 23.1 兆韩元。