三星和SK海力士在AI热潮中提升DRAM和HBM产量

三星和SK海力士在AI热潮中提升DRAM和HBM产量

韩国领先的存储芯片制造商增加晶圆投入，以应对预期的DRAM短缺

据韩媒报导，韩国两家领先的存储芯片制造商三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）正在平泽和无锡提高其最大的DRAM芯片制造厂的产量，以应对不断增长的存储芯片需求。两者都在增加晶圆投入，以提高高带宽存储器（HBM）和通用DRAM的产量，预计这些产品将供不应求。
据估计，三星电子在韩国平泽的工厂今年第二季度生产了82万片DRAM晶圆，比上一季度增长了27%。“高层管理人员已指示逐步增加DRAM晶圆投入，”一位熟悉三星内部运营的消息人士表示。该公司预计将在第三季度将DRAM晶圆投入增加到880,000个，在第四季度增加到900,000个，在第四季度达到最大产能。
由于SK海力士以53%的份额引领HBM市场，更多用于HBM生产的DRAM可能会导致传统通用DRAM的销量下降。HBM 是一种存储芯片，通过垂直堆叠多层动态随机存取存储器（也称为 DRAM）来显著提高数据处理速度。
三星和SK海力士的目标是在人工智能需求激增的推动下，推动通用DRAM和蓬勃发展的HBM市场的销售增长。HBM 是 Nvidia 图形处理单元 （GPU） 的重要组成部分，为 OpenAI 的 ChatGPT 等生成式 AI 系统提供动力。由于 HBM 是通过堆叠最先进的 DRAM 制成的，因此更多的 HBM 销售将减少 DRAM 供应。两家公司 DRAM 产量的大幅增加也旨在抵消转移到 HBM 的产量。
市场研究公司预测，今年第三季度DRAM需求将超过供应，预计第四季度供应短缺将扩大。预计这种短缺在个人电脑和移动设备等高需求行业尤为明显。“随着越来越多的DRAM用于HBM，通用DRAM的供应量将减少，”。
公司内部对三星DRAM产能明年可能下降的担忧正在上升。这是三星最近提高其DRAM产能的原因之一。三星正在将其 DRAM 制造工艺从其旗舰产品 1a（第 4 代 10 纳米级）过渡到 1b（第 5 代 10 纳米级）。通常，在这样的过渡期内，生产线设备可能会停止或进行维护，从而导致一些生产损失。
虽然 HBM 的利润是 DRAM 的两到三倍，但通用 DRAM 仍然是两家芯片制造商的重要收入来源。尽管HBM市场快速增长，但HBM仅占存储芯片总销售额的10%左右。市场研究公司S&P Global预计，到今年年底，HBM在SK海力士总收入中的份额可能达到15-20%。
SK海力士正在努力争取空间以扩大其DRAM产能。与三星电子（Samsung Electronics）不同，三星电子有足够的空间扩大平泽工厂的DRAM生产线，SK海力士（SK Hynix）在明年11月M16X工厂竣工之前没有空间增加更多的DRAM生产线。