全球三大厂HBM冲扩产 明年倍增

AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大存储器厂，积极投入高频宽存储器（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。
HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。
HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。
美光2023年9月宣布推出HBM3E，2024年开始供应英伟达；三星的HBM3E，则由英伟达及AMD验证之中，据业者了解，三星的HBM3E，预计第四季通过客验，HBM正成为高效运算（HPC）军备竞赛核心。
在扩产计划上，三星内部正将南韩平泽厂区P1L／P2L／P3L，逐步升级为DDR5和HBM共用产线；华城厂区Line13／15／17，则正逐步升级到1α制程，仅保留小部份产能停留在1y／1z制程，以应对特殊工业及航太等领域需求。
SK海力士以南韩利川市M16产线生产HBM，并着手将M14产线升级为1α／1β制程，以供应DDR5和HBM产品。此外，中国大陆无锡厂现正积极将制程由1y／1z升级到1z／1α，分别用于生产DDR4及DDR5产品。
美光HBM前段在日本广岛厂生产，产能预计今年第四季提升至25K；长期将引入EUV制程（1γ、1δ），并建置全新无尘室。
短期计划则以中国台湾林口与台中厂产能因应，即增加1β制程比重，预计2025年底HBM总投片量约达6万片。
至于美国制造，维吉尼亚州Dominion Fab6可能扩建供应HBM前段。HBM后段制程方面，美光暂无明确计划，推测2026年以前都放在台湾。
全球三大厂的HBM投片量，将连二年保持高成长，2025年底全球总投片量约达每月54万片。