存储器应用发展的关键指标

电子装置系统中，除了逻辑运算元件与感测元件（包括各类电源控制与I/O收发控制）外，存储器元件也是其中不可或缺的关键零组件。根据不同的应用需求，所需要的存储器型式类别也会有所差别，所以存储器的发展也是五花八门，各种读取技术、材料规格、挥发性、非挥发性，乃至于同质、异质的嵌入整合或系统封装都不断地推陈出新。
无止尽的容量扩充需求
存储器芯片的容量随着制造技术的进步而持续增加，其中以DRAM的单颗芯片容量发展速度最快，近年来平均每年翻倍。NAND Flash的单颗芯片容量发展速度也很快，但略低于DRAM。SRAM和HBM的单颗芯片容量发展速度相对较慢。
DRAM的单颗芯片容量不断提升，主要得益于制程技术的进步。制程技术的进步使得芯片上的晶体管尺寸更小，从而可以容纳更多的晶体管。
NAND Flash的单颗芯片容量不断提升，主要得益于3D NAND技术的应用。3D NAND技术将NAND Flash的储存单元堆叠在多层中，从而提高了空间利用率。
SRAM和HBM的单颗芯片容量发展速度相对较慢，主要原因是其对性能和功耗的要求更高。SRAM需要保证高速的存取速度，HBM需要保证高频宽和低功耗。因此，SRAM和HBM的制程技术需要更加成熟，成本也更高。
存储器单颗芯片容量的提升，将带来以下好处：
1.降低存储器成本：单颗芯片容量越大，生产存储器的成本就越低，从而降低存储器的价格。
2.提高电子设备的性能：更大的存储器容量可以使电子设备执行更复杂的任务，并存储更多资料。
3.促进新应用和服务的发展：更大的存储器容量将使开发人员能够开发新的应用和服务，例如大数据分析、人工智慧等。
总体而言，存储器单颗芯片容量的提升是未来存储器发展的重要趋势，将对电子设备和应用产生深远的影响。