美光 MRDIMM 正式送样，可提升频宽 39%、降低延迟 40%

存储器大厂美光日前宣布，其多重存取双列直插式内存模组 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 开始送样。MRDIMM 让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥运算基础架构的最大价值。
美光科技表示，针对存储器需求高达每 DIMM 插槽 128GB 以上的应用，美光 MRDIMM 的效能更胜目前的矽晶穿孔型 (TSV) RDIMM，达到最高频宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦效能，加速存储器密集型如虚拟化多租户、HPC 和 AI 资料中心等的工作执行。当前开始送样的存储器是美光 MRDIMM 系列的第一代产品，可以与 Intel Xeon 6 处理器相容。
MRDIMM 技术采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的存储器，每核心的频宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足资料中心工作负载日益成长的需求。相较于RDIMM，MRDIMM 具有以下优势，包括存储器有效频宽提升多达 39%、汇流排效率提高15% 以上、并且延迟降低高达 40%。
另外，MRDIMM支援从 32GB 到 256GB 的容量范围，提供标准尺寸和加高尺寸 （TFF） 两种规格，适用于 1U 和 2U 高效能服务器。而 TFF 模组采用先进散热设计，在相同功率和气流条件下，DRAM 温度可降低 20°C 之多，进而提升资料中心的冷却效率，并优化存储器密集型工作负载的系统总能耗。
而美光领先业界的存储器设计使用 32Gb DRAM 晶粒制程技术，只需花费 16Gb 晶粒制程 128GB TFF MRDIMM 的功耗即可享受 256GB TFF MRDIMM 的效能。在最高资料传输率下，256GB TFF MRDIMM 的效能较同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。采用 256GB TFF MRDIMM，资料中心可享受前所未有的整体拥有成本 （TCO） 优势，大胜传统 TSV RDIMM。
美光副总裁暨运算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示，美光最新推出的创新主存储器解决方案 MRDIMM 以更低的延迟提供业界迫切需要的高频宽与大容量，有助在下一代服务器平台上实现大规模 AI 推论和高效能运算 （HPC） 应用。英特尔副总裁暨 Xeon 6 资料中心产品管理总经理 Matt Langman 也表示，MRDIMM 采用 DDR5 介面和技术，能与现有的 Xeon 6 CPU 平台无缝相容，为客户提供选择弹性。MRDIMM 为客户带来更高频宽、更低延迟，以及多种容量选择，适用于 HPC、AI 及其他大量工作负载，这些工作负载一样都能继续运行在支援标准 DIMM 的 Xeon 6 CPU 平台上。
美光 MRDIMM 现已上市，并将于 2024 年下半年开始大量出货。