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三星HBM3E高宽频存储器传将在第三季开始出货

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-07-25
据业内人士称,三星电子HBM3E高宽频存储器将很快获得出货验证,这可能会限制该供应商的DDR5和其他储存芯片供应。消息人士称,约20%~30%的储存产能将转向制造HBM,从而减少DDR5供应并推高价格。
2024年第二季度消费电子产品需求依然疲软,7月份几乎没有改善。不过,三星7月份DRAM报价上涨10%~15%,NAND快闪存储器报价上涨约10%。
储存模组制造商未能按计划消化尽可能多的库存。2024年下半年旺季推出新产品可能会刺激更换需求,但模组厂在第三季度对从上游采购的态度变得保守。
此前有报导称,三星的HBM验证曾因散热问题而延迟,导致其主要竞争对手SK海力士和美光科技占据先机。但许多储存模组制造商现已收到通知,三星将能够在2024年第三季度获得HBM3E的验证,并将很快实现大量出货。
消息人士称,三星生态系统中的一些合作伙伴已被提醒尽快下订单并预订HBM供应产能,并补充说三星已经在加速调整产能以支援HBM生产。但由于HBM承诺高利润率的长期订单,它将限制DRAM供应,尤其是DDR5。
三星LPDDR5X已成功打入天玑9400平台,联发科希望借此提升其在中国旗舰手机市场的市占率。
目前,DRAM供应商在供应充足情况下仍在涨价,因此下游客户并不急于备货。消息人士称,一旦三星开始批次出货HBM,导致DRAM短缺,客户将加快DRAM的库存积累。
人工智能(AI)热潮带来的服务器升级预计将在第三季度推动服务器用SSD价格上涨10%~15%。服务器用DDR5价格在供应吃紧的情况下,第三季度也将上涨10%~15%,2024年下半年DDR5价格可能上涨15%~25%。