Kioxia因3D NAND发明荣获FMS终身成就奖

Kioxia因3D NAND快闪存储器发明荣获FMS终身成就奖

公司开发团队因研发了开创性的BiCS FLASH 3D快闪存储器技术而受到表扬

NAND快闪存储器的发明者Kioxia Corporation荣获2024年“FMS未来存储器和储存终身成就奖”。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka组成的Kioxia工程团队将领取这一殊荣，以表扬其在3D快闪存储器开发和商业化方面的开创性工作。这项突破性技术已成为一系列运算应用的基础，包括先进智能型手机、个人电脑、固态硬盘、数据中心、人工智能和工业。
Kioxia在2007年的VLSI研讨会上提出了BiCS FLASHTM 3D快闪存储器技术的概念。在公布原型后，Kioxia继续透过开发推动该技术的最佳化，以实现量产，最终于2015年推出了全球首款256 Gb、48层3D快闪存储器。
FMS总主席Chuck Sobey表示：“Kioxia在3D快闪存储器领域的创新彻底改变了资料储存，将其从现有技术的单纯进步改变为满足现代运算需求的开创性解决方案。我们很高兴能展示这一重要贡献，并期待着看到未来的发展。”
BiCS FLASH 3D快闪存储器采用3D堆叠结构，可提高容量和效能，一直是储存产业的变革力量。该技术实现了更高密度的储存解决方案，同时保持了可靠性和效率，极大地增强了数据中心、消费电子产品和行动装置的功能，并为快闪存储器技术设立了新基准。透过利用垂直堆叠技术，Kioxia的BiCS FLASH技术解决了平面NAND快闪存储器的局限性，为存储器储存解决方案的未来发展奠定了基础，并巩固了Kioxia Corporation作为产业领导者的地位。
Kioxia Corporation存储器部门副总裁兼技术主管Atsushi Inoue表示：“Kioxia在3D快闪存储器领域的技术创新怎么强调都不为过。我们的技术开创了产业的新典范，使快闪存储器大幅提高了每个单元、裸片和封装的储存密度。我很高兴看到我们的成就得到肯定，并期待见证它们在未来几年的持续影响力。”
Kioxia Corporation先进存储器开发中心资深研究员Ryota Katsumata表示：“我的Kioxia工程师同事们不仅在技术上取得了巨大成就，而且致力于透过不断创新和支援周围的技术人员来推动相关领域的发展，从而树立了榜样。我们的贡献不仅产生了巨大的影响，还在社群内培养了创新和协作精神。很高兴看到这种领导力和远见得到肯定。”
这项3D快闪存储器技术还获得了2020年日本国家发明表彰会颁发的帝国发明奖，并获得了2023年日本文部科学省科学技术表彰会颁发的科学技术奖和2021年IEEE Andrew S. Grove奖。