三星和 SK 海力士之间的激烈战略竞争第 6 代 HBM

随着高带宽内存 （HBM） 成为内存行业最重要的战场，三星电子和 SK 海力士正在争夺下一代产品 HBM4（第 6 代）。两家公司都公布了HBM4的发展路线图，强调了各自的优势：三星是“综合性半导体公司”，SK海力士是“HBM市场的领导者”。两家公司都旨在通过确保根据定制需求为客户提供供应来获得早期优势。

据业内人士26日消息，三星和SK海力士正在开发HBM4，目标是明年推出。随着 HBM 的发展，定制需求不断增加，因此掌握先进的加工技术变得至关重要。除了芯片性能和容量外，功率和热效率也变得至关重要，各种技术的正确实施可以增强供应商的竞争力。
SK海力士目前是HBM市场的领导者，已与中国台湾台湾台积电合作，以加强其地位。对于HBM4，SK海力士计划使用台积电的先进逻辑工艺进行基础芯片生产，以提高性能，并计划于2025年开始量产。具体来说，12层HBM4目标在明年下半年，16层版本在2026年。两家公司于今年4月签署了一份谅解备忘录（MOU），在HBM4技术开发方面进行合作。
SK海力士发言人Kim Kyu-hyun提到：“对于堆叠12层DRAM的HBM4产品，我们计划应用先进的MR-MUF封装技术。对于 16 层产品，我们正在考虑先进的 MR-MUF 和混合粘合工艺。
先进的 MR-MUF（模塑底部填充胶）工艺涉及在 DRAM 层之间注入液体保护剂并对其进行硬化以保护电路。SK海力士自HBM2E以来一直在使用MR-MUF，并计划从第4代开始采用改进的先进工艺。
混合键合直接垂直连接半导体，显著提高信号传输速度并降低 HBM 高度。然而，由于其技术复杂性高，它通常被称为“梦想包装”。
SK海力士强调了与客户合作对于混合键合的大规模应用的重要性，凸显了其作为领先的HBM开发商的优势。Kim 指出：“每个 HBM 供应商都采用不同的封装技术，每个公司的能力和资源各不相同，因此混合键合的有效性可能会有所不同。为了在大规模生产中应用这项技术，必须通过与客户和合作伙伴的合作进行彻底的系统级表征和质量验证。我们将选择满足客户需求的最佳方法。
SK海力士首席财务官Kim Woo-hyun也谈到了客户新产品发布周期的缩短，他说：“这种环境对市场领导者来说是有利的。鉴于市场特点对上市时间至关重要，与具有强大技术竞争力和广泛大规模生产经验的领先公司合作可以最大限度地降低客户的风险。
三星电子也希望通过HBM4实现转型。利用其作为能够处理内存、代工和封装的集成设备制造商 （IDM） 的地位，三星在 HBM 技术方面与竞争对手区分开来。对于 HBM4，连接 GPU 和 HBM 的基础芯片的设计和代工能力至关重要，而三星内部已经拥有这些技术。
三星内存事业部副总裁 Choi Jang-seok 在最近的三星代工论坛上表示：“与 HBM3 相比，HBM4 的性能有了显著提高。我们正在开发它，目标是明年的生产目标，将容量扩展到48GB。
他补充说：“许多客户正在转向定制优化，而不是通用性。我们正在按照计划的时间表进行准备。
三星将MOSFET工艺应用于HBM3E，但正在考虑将FinFET工艺应用于HBM4。与MOSFET工艺相比，FinFET工艺的速度提高了200%，性能提高了50%以上。对于 16 层 HBM4，三星还在考虑各种先进的封装技术，包括混合键合。
最近，三星成立了一个新的 HBM 开发团队，表明其致力于在下一代内存市场保持竞争力。该团队致力于开发 HBM3、HBM3E 和 HBM4 技术。