三星：计划今年第三季量产8层HBM3E

南韩三星电子在公布 2024 年第二季财报的电话会议上表示，“第五代 8 层 HBM3E 产品正如常接受客户评估，公司计划于今年第三季实现量产。”
三星表示，公司已经完成了半导体产业首次开发的 12 层 HBM3E 芯片的量产准备，未来将根据多个客户的需求时间表，在今年下半年扩大供应。
三星相信，新一代产品将可迅速提高对销售的贡献，并预计在 HBM 中 HBM3E 芯片的份额，于第三季超过 10% 左右，并有望于第四季迅速扩大到 60%。
三星记忆体销售和行销主管 Kim Jaejune 表示，三星将向多家客户供货，但根据合约规定，不得透露客户姓名。
英伟达 (NVDA-US) 是目前三星正在争取的最重要客户，三星预测的快速成长，表明三星可能很快会向英伟达供货。迄今为止，在 HBM 供货竞争中，一直是由其本土对手 SK 海力士领先，也是英伟达首选合作伙伴。
媒体报导，三星的高频宽存储芯片 HBM3，已有部分通过英伟达的认证。三星预计在 2025 年，将记忆体供应量增加一倍。
官员说：“第二季我们的 HBM 销售额，比上一季增长了 50%，预计下半年将增长 3-5 倍，每个季度都急剧增长约两倍。”