传美拟限制中国获取 HBM 技术，剑指长鑫存储

据彭博社报导，美国考虑最快下个月限制中国取得 AI 存储器芯片和半导体制造设备。知情人士表示，这项措施是阻止美光、SK 海力士和三星向中国公司供应 HBM 芯片，但强调尚未做出最终决定。
消息人士透露，如果新规定通过，将包括 HBM2 和 HBM3、HBM3E 等更先进芯片，即目前正生产的最顶尖 AI 存储器芯片，以及制造这些芯片所需的设备。
新限制措施最快 8 月下旬公布，另外包括对 120 多家中国公司的制裁，以及对各种类型芯片设备的新限制，日本、荷兰和韩国等盟友排除在规定之外。
由于中国2023 年禁止关键基础设施使用美光产品，美光也避免向中国销售 HBM 产品，因此基本上不会受影响。消息人士透露，目前不确定美国将使用何种权力来限制韩国企业，但其中一种可能是“外国直接产品规则”（FDPR），只要使用美国技术制造，就有机会实施控制，而 SK 海力士和三星都依赖 Cadence 和应材的设计软体与制造设备。
美国总统拜登（Joe Biden）政府已要求韩国限制向中国出口芯片技术，重点是制造设备，并采取类似美国已实施的管制措施。此外，美国计划先降低先进 DRAM 存储器的门槛，做为全面限制 HBM 措施的一部分，而单一 HBM 芯片包含数个 DRAM 模组。
由于三星目前为 NVIDIA 中国版 H20 提供 HBM3 芯片，目前不确定这项措施是否包括高阶存储器芯片与 AI 加速器捆绑在一起出售。
据悉，美国针对 HBM 设备和 DRAM 的新限制措施是为阻止中国存储器大厂长鑫存储，该公司已能制造 HBM2 存储器，并于 2016 年首次投入商用。同时，拜登政府也计划建立一份清单，列出中国生产半导体所需的关键元件，并以更严格的 FDPR 标准实施限制。

我国外交部回应
林剑对此表示，中方已多次就中国的半导体产业阐明严正立场。美方将经贸科技问题政治化、泛安全化、工具化，不断加码对华的芯片出口管制，胁迫别国打压中国半导体产业，严重破坏国际贸易规则，损害全球产业链稳定，不利于任何一方。中方对此一贯坚决反对。遏制打压阻挡不了中国的发展，只会增强中国科技自立自强的决心和能力。中方将密切关注有关动向，坚决维护自身的合法权益。希望相关国家坚决抵制胁迫，共同维护公平、开放的国际经贸秩序，真正维护自身的长远利益。