为 1,000 层 3D NAND Flash 准备，科林研发推新低温介质蚀刻技术

半导体设备大厂科林研发 Lam Research 宣布，推出针对 3D NAND Flash 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。科林研发全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示、藉由 Lam Cryo 3.0 技术的推出，将为客户实现 1,000 层堆叠 3D NAND Flash 闪存生产做好准备。
过去，科林研发的低温蚀刻已被用于超过 500 万片晶圆的生产，而最新技术是 3D NAND Flash 闪存生产领域的一项重大技术突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米级精度创建高深宽比 （High Aspect Ratio） 的图形特征，同时降低对环境的影响，这使得蚀刻的速度是传统介电技术的两倍多。
科林研发还强调，Lam Cryo 3.0 是针对客户克服 AI 时代关键 NAND Flash 闪存制造障碍所需的蚀刻技术。因为在现有 3D NAND Flash 闪存的生产中，需要藉由从元件顶部至底部的细长垂直孔道将各层的储存单元连接起来。而在孔道构建过程中，即使图形特征与目标轮廓出现仅原子级的轻微误差，也可能对储存产品的电气性能产生负面影响，并可能影响良率。
为解决以上的问题，科林研发德 Lam Cryo 3.0 结合了高能密闭式等离子反应器、远低于 0℃ 工作温度、以及新的化学蚀刻物质，可蚀刻出深宽比达 50:1、深度达 10μm 的通道，同时从顶部到底部的特征关键尺寸偏差不到 0.1%。这样的情况，在相较传统介电技术上，Lam Cryo 3.0 技术的蚀刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量更减少了 90%。因此，能为接下来高层数堆叠，也就是目标 1,000 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存带来优秀的解决方案。