千层3D NAND时代到来

AI推动储存芯片需求增长：在AI技术的推动下，储存芯片需求回升显著，尤其是高效能的HBM和3D NAND。尽管3D NAND的制造过程复杂且成本高，但其高储存密度和低成本优势使其在AI时代受益匪浅。

 3D NAND技术发展及挑战：3D NAND技术的发展面临制造复杂性和资本投资高的问题。尽管层数增加能够提升储存密度，但制造过程中的良率提升和经济规模仍是挑战。此外，3D NAND技术的蚀刻和沉积过程随着层数增加而变得更加困难。

 3D NAND层数竞争：存储器厂商在3D NAND层数上的竞争日益激烈，层数的增加能提高储存密度，但也带来制造和成本上的挑战。各大厂商如SK海力士、三星、美光科技等在层数上不断突破，力图在未来实现1,000层的3D NAND。

 AI应用对NAND需求的推动：AI手机、AI PC等终端设备对高效能NAND储存提出了更高的要求，带动了储存芯片市场的快速成长。预计到2027年底，内建生成式AI功能的智能手机出货量将超过5亿支，进一步刺激NAND需求。

 3D NAND技术创新与应用：在3D NAND技术的创新方面，各大厂商不断推出新技术和解决方案，如SK海力士的321层“4D NAND”、三星的290层V-NAND、美光的232层QLC NAND等，推动3D NAND层数和储存密度的不断提升。

 3D NAND层数发展的未来展望：尽管层数的增加面临技术和成本的挑战，但通过创新的制造工艺和材料，如低温蚀刻技术和“铪基薄膜铁电”材料等，有望突破当前的技术瓶颈，实现1,000层的3D NAND。

综合考虑NAND扩展的最佳方式：NAND扩展不应仅依赖单一技术路径，而应综合考虑横向缩放、纵向缩放、架构缩放和逻辑缩放等多种方式，以提升储存密度和效能，实现更高的资料传输速率。

 结语：在生成式AI的推动下，资料量呈现爆炸式增长，如何找到最佳的NAND扩展方式成为存储器厂商的关键任务。未来，通过不断的技术创新和优化，3D NAND技术有望实现更高的层数和储存密度，满足AI时代的储存需求。