传韩国三星HBM3E通过英伟达测试？内部驳斥：与事实相去甚远

《路透》报导揭露，韩国三星电子研发的第五代HBM3E存储器芯片终于通过英伟达测试，预计在今年第四季就会展开供应。不过，韩媒《BusinessKorea》最新报导则指出，三星否认其第5代HBM3E存储器芯片的8层版本通过测试等相关报导，并称“这与事实相去甚远”。
原本《路透》引述知情人士说法指出，目前三星及英伟达尚未针对通过验证的8层堆叠HBM3E敲定供应合约，但预料双方应该很快就会签约，且预计在今年底开始供货。消息也指出，三星的12层堆叠HBM3E仍未通过英伟达验证。对此，三星高层驳斥，“正如上个月电话会议中所提到的：品质测试正在进行中，之后没有任何变化”。
HBM是一种动态随机存取存储器或DRAM标准，于2013年首次推出，其中的芯片采用垂直堆叠方式，以节省空间并降低功耗。HBM是AI绘图处理器(GPU)的关键要素，主要负责处理复杂应用程序所产生的大量数据。
综合外媒5月报导分析，三星自去年以来，持续寻求通过英伟达对HBM3E以及之前第4代HBM3芯片的测试，但由于发热和功耗问题迟迟无法解决而陷入困境。知情人士透露，目前三星已修改HBM3E的设计，并成功化解上述问题；但根据韩国媒体最新报导，产品设计获得改善的情况尚未得到证实。
高频宽存储器(HBM)正成为AI军备竞赛中的一项关键技术，HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中在下半年。目前在全球相关产品的企业龙头仅只三家，分别是美国存储器大厂美光(Micron)、韩国SK海力士(SK Hynix)及三星电子。其中，SK海力士一直是英伟达主要的HBM芯片供应商，美光也宣告将供应HBM3E给英伟达。
SK海力士曾估计，直到2027年，HBM存储器的总体需求年增速可能高达82%。三星也预测，HBM3E芯片到了今年第四季，将占其HBM芯片销量约60%。至于《路透》相关报导，三星回应表示，“我们无法证实与我们客户相关的报导，但该报导并不属实”。