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高带宽存储器市场迎来爆发期

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-08-11
随着人工智能技术的飞速发展,高频宽存储器以其高速数据传输能力,成为AI芯片设计中不可或缺的一部分。从HBM1到HBM3E,每一代产品在堆叠层数、传输速度和储存容量上都有显著提升。作为AI芯片关键技术支持的同时,也面临供不应求的问题。为应对市场以及英伟达H200芯片中HBM3E存储器的需求,SK海力士、三星和美光这些存储器产业的领导企业,正积极扩充HBM的产能。

闪存、存储器、芯片、纳米、硬盘、服务器、数据中心等技术的进步,为人工智能的发展提供了强大的硬件支持。智能手机、笔记本电脑、台式机等设备的更新换代,也离不开这些先进技术的支持。在这样一个大背景下,各大厂商纷纷加大研发投入,力求在激烈的市场竞争中占据一席之地。
技术的发展总是伴随着挑战。在追求更高速度、更大容量的过程中,如何保证产品的稳定性和可靠性,是每一个厂商都必须面对的问题。此外,随着环保意识的提高,如何在保证性能的同时,降低产品的能耗,也成为了一个重要的研究方向。在这个信息化的时代,数据的重要性不言而喻。作为数据的载体,存储器的性能直接影响到整个系统的运行效率。因此,无论是服务器、数据中心还是个人电脑,都对存储器的性能提出了更高的要求。这就要求存储器厂商不断地进行技术创新,以满足市场的需求。随着人工智能等新兴技术的发展,存储器行业正面临着前所未有的机遇和挑战。只有不断创新,才能在激烈的市场竞争中立于不败之地。

由于HBM的生产难度高、良率较低,生产时间比一般存储器多出1.5至2个月,当高难度产品需求旺盛时,厂商倾向于优先增加高获利产品的产能,这些因素使得HBM在扩充产能时面临更大的挑战,预计2025至2026年间HBM的供给仍将处于紧绷状态,HBM需求的急增减少了DRAM的产量,也进一步推动了DRAM价格的上涨。英特尔和超微预计今年将推出搭载DDR5的新平台,新规格将带动PC处理器的换代,不仅大型服务器和数据中心需要高速及大容量的DRAM,智能手机也将带动存储器需求的增长,这些智能手机内含神经处理单元(NPU),具有强大的算力和高存储器配置,中国台湾的存储器厂商如南亚科、华邦电、爱普*和钰创,正积极开发新的存储器技术和产品,以迎接AI市场的需求。
南亚科推动高密度RDIMM产品,预计2024年底达到月产能1.6万至2万片,华邦电则计划在2024年推出4Gb DDR4新产品,并进一步开发AI客制化超高带宽元件,爱普和力积电合作开发的3D封装堆叠技术也将在下半年问世,钰创则推出高效AI存储器平台MemoraiLink,进一步提升AI芯片的效能。虽然GB200出货递延对AI相关概念股造成影响,但英伟达的H100、H200芯片需求依然强劲,在HBM供不应求和消费旺季的背景下,DRAM的供需状况将变得更加紧张,这将给相关厂商带来绝佳的发展机会。