三星电子将于年底启动HBM4存储器生产计划，明年初推出样品

据报道，三星电子计划于今年底启动HBM4存储器的生产，为明年年底量产做准备。由于从生产到测试产品推出需要约3到4个月的时间，预计三星电子的HBM4 12H样品最早将于明年初亮相。随后，三星电子将对这些样品进行功能验证，并改进设计和工艺，改进后的样品将交付主要客户进行评估。
报道确认，三星电子将在HBM4存储器中采用1c nm制程的DRAM颗粒和4nm制程的逻辑芯片，以提升产品的能效表现，并在逻辑芯片中引入更丰富的功能支持。
三星公司于今年7月宣布成立全新的“HBM开发团队”，这一举措标志着三星在高频宽存储器（HBM）技术领域迈入了新阶段。该团队将专注于前沿技术的研发，特别是HBM3、HBM3E以及备受期待的下一代HBM4技术，旨在显著提升三星在全球HBM市场的竞争力和市场份额。
回顾历史，自2015年起，三星就在DRAM部门深入研究HBM技术，不仅成立了专项团队，还组建了特别工作组，持续推动技术创新与突破。这次组织架构的升级进一步深化了三星在HBM技术领域的努力，彰显了其对未来发展的坚定信心。
三星电子的决定也对其在HBM市场上的主要竞争对手SK海力士产生了影响。SK海力士的一位匿名人士透露，SK海力士原计划在HBM4中使用1b nm的DRAM颗粒，但在了解到三星电子的HBM4方案后，SK海力士正在内部讨论是否将其HBM4产品转向1c nm DRAM。
在HBM4存储器的逻辑芯片部分，SK海力士预计将采用台积电提供的5nm或12nm方案。