AI领域三巨头联手，台积电与SK海力士深化合作挑战三星

在人工智能（AI）领域，三大巨头即将联合发力。市场消息透露，SK海力士将在9月于中国台湾举办的国际半导体展（Semicon Taiwan）上宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划，重点推进下一代高频宽存储器（HBM）技术的开发，以进一步巩固AI服务器的关键零部件供应链。
Semicon Taiwan将于9月4日至6日举行。据悉，SK海力士社长金柱善将赴台参展并首次发表专题演讲。金柱善抵台后将与台积电高层进行会谈，有传言称英伟达首席执行官黄仁勋也有可能专程从美国飞赴台北，加入此次会议，进一步加强三方联盟关系，形成AI半导体产业的重要铁三角。
此次合作的核心将集中在HBM上。过去，SK海力士生产的HBM3E（第五代HBM产品）均基于其自有的制造工艺，但业内人士透露，HBM4将开始采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。通过超细微的制造工艺，HBM4可以实现更多功能，满足客户在性能和功效上的定制需求。
根据计划，双方将合作开发并生产HBM4，目标是在2026年实现量产。HBM4将采用12FFC+（12纳米级）和5纳米工艺制造介面芯片，实现更小的互连间距，以提升AI和高性能计算（HPC）处理器的存储器性能。
此外，SK海力士的产品路线图显示，预计在2025年下半年推出12层堆叠的HBM4，并在2026年推出16层堆叠版本，以进一步提升功耗和数据传输速度。台积电也在持续扩大其CoWoS-L和CoWoS-R等封装技术的产能，以支持HBM4的大规模生产。
作为英伟达AI GPU高频宽存储器的独家供应商，SK海力士将与2026年推出的Rubin系列共同使用HBM4 12Hi with 8 clusters for 1 GPU。此举将进一步扩大三巨头的市场影响力，并加大与三星的竞争差距。
三星在先进制程晶圆代工市场上已经落后于台积电，现在在存储器芯片领域同样面临压力。尽管三星正在加快HBM研发步伐，但在先进逻辑工艺方面的劣势可能迫使其重新评估战略，并加强与其他公司的合作。