日本媒体：当前中国半导体技术水平仅落后台积电三年

根据日本半导体研究机构TechanaLye的总裁清水洋治的分析，尽管在良率方面仍有差距，但目前中国半导体技术水平已经仅落后台积电三年。
日经中文网报道，清水洋治在对比了台积电2021年生产的5纳米“KIRIN 9000”与2024年中芯国际生产的7纳米“KIRIN 9010”之后，得出了这一结论。报道指出，两者在处理性能上已基本相当。
“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计，中芯国际负责量产，并已在今年4月上市的华为最新款智能手机Pura 70 Pro中使用；而2021年的“KIRIN 9000”则是由海思半导体设计，台积电负责量产。
报道称，美国政府对中国华为实施的出口禁令已经执行了五年，美方一直采取措施遏制中国半导体技术的发展，但迄今为止效果讨论较少。
美国政府关注的中芯国际采用的是7纳米技术，而台积电当时采用的是5纳米制程，为华为提供处理器。一般来说，线路线宽的缩小意味着半导体的处理性能提升，同时芯片面积减少。根据报道，中芯国际的7纳米芯片面积为118.4平方毫米，而台积电的5纳米芯片面积为107.8平方毫米，两者面积差异不大，处理性能也基本相当。
尽管两者在良率上存在差异，但从出货的半导体芯片性能来看，中芯国际的技术水平已经接近台积电三年前的水平。虽然使用的是7纳米工艺，但表现出的性能与台积电的5纳米技术相当，这表明海思半导体的设计能力也有了显著提升。
华为的Pura 70 Pro除了存储芯片和传感器，还搭载了支撑镜头、电源、显示器功能的共37个半导体组件。其中，海思半导体负责14个，其他中国企业负责18个，来自中国以外的芯片仅有5个，包括韩国SK海力士的DRAM和德国博世的运动传感器。实际上，86%的半导体产品均由中国制造。
清水洋治对华为最新款智能手机的分析表明，“到目前为止，美国政府的管控措施只是略微减缓了中国技术创新的速度，但也推动了中国半导体产业的自主生产”。
根据半导体行业协会SEMI的数据，2023年制造设备的销售数据显示，中国市场占比达34.4%，并购买了韩国和中国台湾设备的两倍。尽管对尖端半导体制造设备的出口管制受到广泛关注，但实际情况是，中国不断采购未受管制的设备，稳步提升量产技术。