​SK 海力士计划于10月开始测试 HBM4，预计2025年下半年实现量产

韩国SK海力士，作为英伟达主要的HBM（高带宽存储器）供应商，已经制定了为英伟达和AMD的AI芯片提供HBM4存储器的计划。根据媒体报道，SK海力士的第六代HBM即将完成设计，并计划于10月开始投片测试。
根据ZDnet KOREA的报道，SK海力士的下一代HBM4存储器预计将在2025年下半年开始量产。10月份的投片测试标志着该存储器芯片的最后准备阶段，表明芯片设计已经基本完成，并开始进行试生产，待进一步验证后方可进入大规模生产。目前，SK海力士是英伟达AI芯片的重要HBM存储器供应商，几个月前也已经率先提供了HBM3E存储器。
HBM4存储器是下一个重要的技术节点，能够提供更快的数据传输速度，以应对更高性能和更低能耗的市场需求。与HBM3E相比，HBM4的位宽从1024位元提升至2048位元，实现了数据传输宽度的翻倍，这对于新一代AI芯片至关重要。此外，HBM4支持堆叠16个DRAM芯片，而HBM3E仅支持12个，在支持24Gb和32Gb颗粒的情况下，HBM4的单颗芯片堆叠容量可达到64GB，而HBM3E则为32GB。
SK海力士近期承诺未来将提供性能比现有HBM高20到30倍的产品，这进一步加剧了市场竞争。三星也计划在下一季度推出自己的HBM4存储器。尽管三星尚未像SK海力士那样迅速完成HBM3E存储器的品质验证，但在下一代HBM4存储器的竞争中，三星是SK海力士的重要对手。尤其是三星的大规模生产能力，使得英伟达和AMD期待通过三星的供应来降低供不应求的风险，满足市场需求。